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Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
TLP2530(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(TP1,F) -
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 ECAD 9916 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2530 DC 2 Transistor con base 8-SMD scaricamento 264-TLP2530(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 15 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 30% a 16 mA 300ns, 500ns -
TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GBTL,SE -
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 ECAD 3535 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP185 DC 1 Transistor con base 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP185(V4GBTLSE EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF2,F) -
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 ECAD 6523 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (illimitato) 264-TLP331(BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP632(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(F) -
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 ECAD 9713 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP632 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP632F EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(D4GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-F7,F -
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 ECAD 7446 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4GRL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2348(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(TPL,E 1.1200
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 ECAD 6742 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2348 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 30 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50 mA 10Mbps 3ns, 3ns 1,55 V 15 mA 3750 Vrm 1/0 30kV/μs 120ns, 120ns
TLP250(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(MBS,F) -
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 ECAD 3329 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP734(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C174,F) -
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 ECAD 4043 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP734 DC 1 Transistor 6-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP734(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 4000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(GB-TP,E 1.6000
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 ECAD 4016 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP266J(T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(T7,E -
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 ECAD 5852 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP266 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (illimitato) 264-TLP266J(T7E EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 50 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 600 µA SÌ 200 V/μs 10mA 30 µs
TLP251(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP251(F) -
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 ECAD 1349 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -20°C~85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP251 Accoppiamento ottico UR 1 8-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP251F EAR99 8541.49.8000 50 100 mA, 100 mA 400mA - 1,6 V 20 mA 2500 Vrm 5 kV/μs 1μs, 1μs - 10 V~30 V
TLP9121A(HNEGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(HNEGBTL,F -
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 ECAD 3405 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Obsoleto - 264-TLP9121A(HNEGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(YH-TPL,SE 0,4500
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 ECAD 2619 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 75% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KMGBTL,F(O -
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 ECAD 5179 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLX9185 DC 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185(KMGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,27 V 30 mA 3750 Vrm 20% a 5 mA 600% a 5 mA 5μs, 5μs 400mV
TLP161J(T5TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TR,U,C,F -
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 ECAD 6551 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (illimitato) 264-TLP161J(T5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP5774H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(D4TP4,E 2.6800
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 ECAD 4338 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5774 Accoppiamento capacitivo CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 4A, 4A 4A 56ns, 25ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10 V~30 V
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(D4,E 1.2400
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 ECAD 498 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5701 DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP5701(D4E EAR99 8541.49.8000 125 600 mA - 50ns, 50ns 1,57 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 500ns, 500ns
TLP155(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP155(TPR,E -
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 ECAD 6399 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP155 Accoppiamento ottico - 1 6-SO, 5 Piombo - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP155(TPRE EAR99 8541.49.8000 3.000 - 600mA 35ns, 15ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 20kV/μs 200ns, 200ns 50ns 10 V~30 V
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GR,M,F) -
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 ECAD 3504 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (illimitato) 264-TLP734F(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TR,E 1.8100
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 500μA 600% a 500μA 3μs, 3μs 300mV
TLP5754(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754(TP4,E 2.8500
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 ECAD 8639 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5754 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 3A, 3A 4A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15 V~30 V
TLP785(D4-Y-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-Y-T6,F -
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 ECAD 4691 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(D4-Y-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(D4-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-LF7,F) -
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 ECAD 6163 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(TP1,E 0,9100
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 ECAD 7614 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP628 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 10μs, 10μs 400mV
TLP785(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GRH,F -
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 ECAD 6028 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR,F) -
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 ECAD 9097 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP121(GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(E 2.2400
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 ECAD 2675 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2770 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2770(E(O EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 20 MBd 1,3 ns, 1 ns 1,5 V 8 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP705A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705A(F) -
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 ECAD 8970 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP705 Accoppiamento ottico cUL, UL 1 6-SDIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 400 mA, 400 mA 600mA 35ns, 15ns 1,57 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 170ns, 170ns 50ns 10 V~30 V
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR-TP,E) -
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 ECAD 3608 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP290 CA, CC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 4μs, 7μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 7μs, 7μs 300mV
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200(TP1,F) -
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 ECAD 5811 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2200 DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 25 mA 2,5 MBd 35ns, 20ns 1,55 V 10mA 2500 Vrm 1/0 1kV/μs 400ns, 400ns
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    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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    15.000 mq2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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