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Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR,SE 0,5100
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 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP290 CA, CC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP290(GRESE EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF2,F) -
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 ECAD 6523 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (illimitato) 264-TLP331(BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2530(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(TP1,F) -
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 ECAD 9916 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2530 DC 2 Transistor con base 8-SMD scaricamento 264-TLP2530(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 15 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 30% a 16 mA 300ns, 500ns -
4N27(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N27(CORTO,F) -
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 ECAD 8912 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N27 DC 1 Transistor con base 6-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 4N27(CORTO) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2μs, 2μs 30 V 1,15 V 80 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
TLP754(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(F) -
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 ECAD 8364 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP754 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP754F EAR99 8541.49.8000 50 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP127(DEL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(DEL-TPL,F) -
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 ECAD 3952 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(DEL-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP121(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(TPL,F) -
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 ECAD 9597 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP121(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP127(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TEE-TPLS,F) -
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 ECAD 6416 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(TEE-TPLSF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(GB,F) -
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 ECAD 3381 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP124(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(BV-TPR,F) -
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 ECAD 9071 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP124 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8μs, 8μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLX9185(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(TOJGBTLF(O -
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 ECAD 9576 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLX9185 DC 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185(TOJGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,27 V 30 mA 3750 Vrm 20% a 5 mA 600% a 5 mA 5μs, 5μs 400mV
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J(F) -
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 ECAD 8284 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP361 UR 1 Triac 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 1,15 V 50 mA 5000 Vrm 600 V 100 mA 600μA (suggerimento) SÌ 200 V/μs 10mA 30 µs
TLP160G(IFT7,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(IFT7,U,F) -
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 ECAD 4588 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (illimitato) 264-TLP160G(IFT7UF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MB-F2,J,F -
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 ECAD 2825 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4MB-F2JF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP781(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(BL,F) -
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 ECAD 4864 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP781BLF 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP268J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J(TPL,E 0,9900
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 ECAD 2880 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP268 CQC, cUR, UR 1 Triac 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 30 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 200μA (suggerimento) SÌ 500 V/μs (tip.) 3mA 100 µs
TLP2405(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2405(F) -
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 ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) TLP2405 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 8-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2405F EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 250ns, 250ns
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPR,U,F) 1.0712
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 ECAD 9472 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP3902 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 5A991 8541.49.8000 3.000 5μA - 7V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm - - 600 µs, 2 ms -
TLP250(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-TP4,F) -
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 ECAD 9894 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(D4-TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP118(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP118(TPR,E) 0,6165
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 ECAD 2619 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP118 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP118(TPRE) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 mA - 30ns, 30ns - 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 60ns, 60ns
TLP5752H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(E -
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 ECAD 1855 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 2 6-SO scaricamento 264-TLP5752H(E 1 2,5 A, 2,5 A 2,5 A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15 V~30 V
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(TPR,F) -
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 ECAD 2750 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP137 DC 1 Transistor con base 6-MFSOP, 5 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP137(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8μs, 8μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(V4-TPL,E 1.8900
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP109 DC 1 Transistor 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,64 V 20 mA 3750 Vrm 20% a 16 mA - 800ns, 800ns (massimo) -
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB,E) -
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 ECAD 9774 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP184 CA, CC 1 Transistor 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 5μs, 9μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 400% a 5 mA 9μs, 9μs 300mV
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-BL,F -
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 ECAD 2555 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(D4-BLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP130GBF Toshiba Semiconductor and Storage TLP130GBF 0,7145
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 ECAD 8142 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP130 CA, CC 1 Transistor con base 6-MFSOP, 5 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 150 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP715(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(TP,F) -
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 ECAD 2863 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP715(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 250ns, 250ns
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(BV,F) -
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 ECAD 2360 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP626 CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8μs, 8μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(GB-LF6,F) -
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 ECAD 8264 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP732(GR-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GR-LF4,F) -
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 ECAD 4249 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (illimitato) 264-TLP732(GR-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
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    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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