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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP781F(GR-TP7,F) | - |  | 9957 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GR-TP7F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2531(LF1,F) | - | | 2555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP2531(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | TLP2361(TPR,E | 1.0200 | | 7264 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2361 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| TLP627MF(LF2,E | - | | 9308 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP627MF(LF2E | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP2704(D4-TP,E | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2704 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 mA | - | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 400ns, 550ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP385(D4GL-TL,E | 0,5600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP385(GRL-TPR,E | 0,5600 | | 4446 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GRT7,F,W | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GRT7FWTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2309(TPR,E | 1.2600 | | 6442 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2309 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 16 mA | - | 1μs, 1μs (massimo) | - | ||||||||||||||||||||
| TLP781(BL-LF6,F) | - | | 8061 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(BL-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2631(LF5,F) | - | | 2200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP2631 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP2631(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 16 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 2/0 | 1kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
| TLP5702(D4-TP,E | - | | 9095 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5702(D4-TPETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 mA | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP266J(V4-TPL,E | 0,9300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4,F) | - | | 6927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP293-4(LA-TP,E | 1.6300 | | 3201 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP532(YG,F) | - | | 7001 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP532(YGF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293-4(LGBTP,E | 1.6400 | | 8910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP265J(V4T7TL,E | 0,8400 | | 4119 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 7mA | 20 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP631(BL,F) | - | | 9685 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP631 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785F(GB-TP7,F | - | | 1625 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GB-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP184(GB, SE | 0,5100 | | 2065 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4LATPE | 1.7900 | | 8491 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP5752H(E | - | | 1855 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SO | scaricamento | 264-TLP5752H(E | 1 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-GRL,F) | - | | 6942 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| 4N27(CORTO-TP1,F) | - | | 6824 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N27 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 4N27(CORTO-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 100mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||||||||||
 | 6N138(TP1,F) | - | | 1363 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N138 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 60mA | - | 18 V | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 300% a 1,6 mA | - | 1μs, 4μs | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP759(TP1,J,F) | - | | 6281 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP759(TP1JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
| 4N27(CORTO,F) | - | | 8912 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N27 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 4N27(CORTO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||||||||||
| TLP532(GR-TP5,F) | - | | 2528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP532(GR-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(TPR,E) | - | | 6582 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | TLP185(TPRE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV |
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