SIC
close

Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
TLP700AF(TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF(TP,S) -
Richiesta di offerta
 ECAD 7697 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP700 - 1 (illimitato) 264-TLP700AF(TPS)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
4N35(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(CORTO-TP5,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 6380 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto 4N35 - 1 (illimitato) 264-4N35(CORTO-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP628M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(TP5,E 0,9200
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP628 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 10μs, 10μs 400mV
TLP266J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7,E 0,9200
Richiesta di offerta
 ECAD 6891 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP266 1 Triac 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP266J(V4T7E EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 30 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 600μA (suggerimento) SÌ 200 V/μs 10mA 30 µs
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GB,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 7338 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (illimitato) 264-TLP531(GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4GBF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GBF7,F -
Richiesta di offerta
 ECAD 2561 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(D4GBF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2766A(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A(TP4,E 1.6700
Richiesta di offerta
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2766 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 20 MBd 5ns, 4ns 1,8 V (massimo) 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 55ns, 55ns
TLP626-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4(F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 5003 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Acquisto per l'ultima volta -55°C~100°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP626 CA, CC 4 Transistor 16-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 25 50mA 8μs, 8μs 55 V 1,15 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLP754F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F(TP4,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 1615 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP754 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 8-SMD scaricamento 264-TLP754F(TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766(TP,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 2345 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP2766(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 20Mbps 15ns, 15ns 1,55 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 55ns, 55ns
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 1578 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP719 DC 1 Transistor 6-SDIP Ala di gabbiano - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 5A991G 8541.49.8000 100 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - 800ns, 800ns (massimo) -
TLP785F(BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-F7,F -
Richiesta di offerta
 ECAD 2014 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(Y-TPL,SE 0,6100
Richiesta di offerta
 ECAD 4922 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2601(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601(LF1,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 3893 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2601 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP2601(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 10 MBd 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 Vrm 1/0 1kV/μs 75ns, 75ns
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 9586 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP121(GRHF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(TP1,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 9827 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP570 - 1 (illimitato) 264-TLP570(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP358(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-LF1,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 2941 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP358 DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 8-SMD scaricamento 264-TLP358(D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 5,5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 500ns, 500ns
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-BL,E 0,5500
Richiesta di offerta
 ECAD 8372 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP385(D4-BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4YH-TR,E 0,5500
Richiesta di offerta
 ECAD 6869 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 75% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP183(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPL,E 0,5100
Richiesta di offerta
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(TP1,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 1950 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP626 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 8μs, 8μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLP385(D4Y-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4Y-TPR,E 0,5600
Richiesta di offerta
 ECAD 4533 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP250(D4-SIEM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-SIEM,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 3089 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(D4-SIEMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(D4,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 9878 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2761 CA, CC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2761F(D4F) EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5 V 10mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
4N25A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25A(CORTO,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 8159 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N25 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 4N25ASHORTF EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2μs, 200μs 30 V 1,15 V 80 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
TLP785(D4GH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GH-F6,F -
Richiesta di offerta
 ECAD 8482 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(D4GH-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP351(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(D4,Z,F) -
Richiesta di offerta
 ECAD 5056 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP351 - 1 (illimitato) 264-TLP351(D4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP383(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4YH-TL,E 0,6000
Richiesta di offerta
 ECAD 3131 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP732(D4GRL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRL-LF2,F -
Richiesta di offerta
 ECAD 4287 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (illimitato) 264-TLP732(D4GRL-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TL,E 0,9200
Richiesta di offerta
 ECAD 2489 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP266 1 Triac 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 30 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 600μA (suggerimento) SÌ 200 V/μs 10mA 30 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

Elenco RFQ (0 articoli)
Elenco carrello (0 articoli)
WishlistLista dei desideri (0 articoli)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

Quantità: 1

Confronta elenco (0 articoli)
Premi Invio per cercare o ESC per chiudere