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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2301(E | 0,6100 |  | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP2301 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | - | 40 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP785(BLL,F | - | | 1485 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(BLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP120(HO-GB,F) | - | | 4907 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP120 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP120(HO-GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3083F(D4,LF4F | 1.7800 | | 4869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, ala di gabbiano, 5 conduttori | TLP3083 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 600 µA | SÌ | 2 kV/μs (tip.) | 5mA | - | |||||||||||||||||||||
| TLP9104(OGI-TL,F) | - | | 2225 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9104(OGI-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP351H(TP1,F) | 1.6400 | | 1209 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP351 | Accoppiamento ottico | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 700ns, 700ns | 500ns | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP512(NEMIC,TP1,F | - | | 9630 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(NEMICTP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP358F(D4-TP4,F) | - | | 2191 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP358 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP358F(D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5A, 5A | 6A | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 250ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP2361(TPL,E | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2361 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| TLP190B(ADVTPLUC,F | - | | 3675 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | 264-TLP190B(ADVTPLUCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 8 V | 1,4 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||||||
 | TLP385(E | 0,5500 | | 3352 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2168(F) | - | | 7498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2168 | DC | 2 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,57 V | 25 mA | 2500 Vrm | 2/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
| TLP385(GRL-TPL,E | 0,5400 | | 3612 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP3052A(F | - | | 2712 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Scatola | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | TLP3052 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 264-TLP3052A(F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 600 µA | NO | 2 kV/μs (tip.) | 10mA | - | |||||||||||||||||||||
| TLP127(PSION-TPR,F | - | | 1151 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(PSION-TPRFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP559(F) | - | | 8414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP559 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 20% a 16 mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP293-4(LA,E | 1.6000 | | 5468 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP291-4(GB,E) | 1.4600 | | 2026 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785F(GB, F | - | | 7295 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP715(D4-MBS-TP,F | - | | 9066 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP715 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP715(D4-MBS-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
| TLP109(IGM-TPR,E | 1.9200 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP109 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,64 V | 20 mA | 3750 Vrm | 25% a 10 mA | 75% a 10 mA | 450ns, 450ns | - | ||||||||||||||||||||
| TLP292-4(4LGBTPE | 1.7900 | | 6242 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(GB,F) | - | | 5077 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP781F(D4GB-LF7,F | - | | 1224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GB-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP716(TP,F) | - | | 5496 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP716 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 15 MBd | 15ns, 15ns | 1,65 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP548J(TP1,F) | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP548 | UR | 1 | SCR | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 600 V | 150 mA | 1mA | NO | 5 V/μs | 7mA | 10 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP131(F) | - | | 6869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP131 | DC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP131F | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | TLP785(GR-LF6,F | 0,6400 | | 22 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP785(GR-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | TLP5222(E | 7.0100 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5222 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5222(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2,5 A | 58ns, 57ns | 1,67 V | 25 mA | 5000 Vrm | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| 4N28(CORTO,F) | - | | 6801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N28 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 4N28(CORTO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV |
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