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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP731(D4-GB-LF1,F | - |  | 4468 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-GB-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A(ASTGBTL,F | - | | 6517 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(ASTGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(GB-LF2,F) | - | | 1724 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(GB-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291(GB,SE | 0,6100 | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP291(YH-TP,SE | 0,4300 | | 7296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP734(D4GRLF5,M,F | - | | 6034 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734(D4GRLF5MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531(GR,F) | - | | 4494 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4-LF2,J,F) | - | | 6708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4-LF2JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP781F(GRH-TP7,F) | - | | 8632 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GRH-TP7F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785F(YH-TP7,F | - | | 5112 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(YH-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP387(TPL,E | 0,8700 | | 6400 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP387 | DC | 1 | Darlington | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1 V | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GRT7TC,F | - | | 1622 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GRT7TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP250HF(TP4,F) | - | | 5555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP250HF(TP4F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 5mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||||||
| TLP531(Y-LF2,F) | - | | 8609 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(Y-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(FJDK-TL,U,F | - | | 8745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(FJDK-TLUF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP731(F) | - | | 3594 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(GRL,E | 0,5500 | | 9932 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(GRLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP627M(D4-TP5,E | 0,3090 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP627-4(LF1,F) | - | | 5820 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627-4(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP350F(D4-TP4,Z,F | - | | 4855 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350F(D4-TP4ZFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(V4-TPR,U,F) | - | | 1254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(V4-TPRUF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP2768A(D4-TP,E | - | | 6459 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2768 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2768A(D4-TPETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP5752H(D4TP4,E | 1.9700 | | 6558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP183(GRH-TPL,E | 0,5100 | | 8176 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP265J(T7-TPR,E | - | | 2647 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP265J(T7-TPRETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1mA | NO | 500 V/μs (tip.) | 7mA | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP785(D4-YH,F | - | | 5168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4-YHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP127(DEL-TPL,F) | - | | 3952 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(DEL-TPLF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP759(IGM-LF5,J,F | - | | 9136 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP759(IGM-LF5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 25% a 10 mA | 75% a 10 mA | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP718(F) | - | | 2742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP718 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP2355(TPR,E | 1.0200 | | 4732 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2355 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | - | 15ns, 12ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 250ns, 250ns |
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