- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP9114B(NIEC-TL,F | - |  | 6623 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9114B(NIEC-TLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 6N138(TP1,F) | - | | 1363 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N138 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 60mA | - | 18 V | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 300% a 1,6 mA | - | 1μs, 4μs | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP3906(TPR,E | 0,6576 | | 1096 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3906 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 12μA | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 200 µs, 300 µs | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP291-4(TP,E) | 1.4600 | | 2543 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP350H(F) | 1.9900 | | 7118 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP350 | Accoppiamento ottico | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 3 mA, 3 mA | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP785F(GR-TP7,F | - | | 3565 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GR-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP628M(GB-TP5,E | 0,9200 | | 8716 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 10μs, 10μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP701HF(D4MBSTP,F | - | | 7855 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SDIP | scaricamento | 1 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 700ns, 700ns | 500ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||||||
| TLP627M(LF1,E(OX4 | - | | 6561 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627M(LF1E(OX4 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP3902(TPR,U,F) | 1.0712 | | 9472 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP3902 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | 5A991 | 8541.49.8000 | 3.000 | 5μA | - | 7V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | 600 µs, 2 ms | - | ||||||||||||||||||||
| TLP184(TPR,E) | - | | 2556 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP155(TPR,E | - | | 6399 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP155 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 6-SO, 5 Piombo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP155(TPRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | 600mA | 35ns, 15ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||
| TLP2955(D4,F) | - | | 2734 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2955 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2955(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 16ns, 14ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP131(GB-TPR,F) | - | | 8616 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP131 | DC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GB-TP7,F | - | | 6460 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GB-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP266J(T7,E | - | | 5852 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP266J(T7E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600 µA | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP5702(E | 1.4000 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||
| TLP3083F(D4,F | 1.7400 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 600 µA | SÌ | 2 kV/μs (tip.) | 5mA | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP531(GR-LF2,F) | - | | 8920 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2761(D4-LF4,E | - | | 7269 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2761(D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| TLP597J(F) | - | | 7997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | TLP597 | - | - | - | - | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP2361(V4-TPR,E | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2361 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| TLP754(F) | - | | 8364 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP754 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP754F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||||
| TLP705AF(D4-TP,F) | - | | 6742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP705 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP705AF(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600 mA, 600 mA | 600mA | 35ns, 15ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP105(TPL,F) | - | | 3574 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP105 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | 264-TLP105(TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
| TLP550(TOJS-O,F) | - | | 3724 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(TOJS-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772H(TP,E | 2.4700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5772 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 56ns, 25ns | 1,55 V | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP571(LF1,F) | - | | 9065 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP571 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP571(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(E) | - | | 8142 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP121(Y-TPR,F) | - | | 1498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(Y-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)