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Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) cms-filtro-intestazione-mfr cms-filter-header-series pacchetto-filtro-intestazione-cms cms-filter-header-productstatus cms-msl cms-eccn-pagina-dettaglio cms-htsus-pagina-dettagli pacchetto-standard-cms Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora cms-filtro-intestazione-bpn
TLP550(TCCJ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(TCCJ,F) -
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 ECAD 3899 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (illimitato) 264-TLP550(TCCJF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP266J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4-TPR,E 0,9300
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP266 1 Triac 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 30 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 600μA (suggerimento) SÌ 200 V/μs 10mA 30 µs
TLP700A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A(D4-TP,F) -
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 ECAD 4924 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP700 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP700A(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 2,5 A, 2,5 A 2,5 A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 20kV/μs 200ns, 200ns 50ns 15 V~30 V
TLP732(GB-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF4,F) -
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 ECAD 3479 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (illimitato) 264-TLP732(GB-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP523(ADCHI-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523(ADCHI-PP,F) -
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 ECAD 7158 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (illimitato) 264-TLP523(ADCHI-PPF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(TP4,E 1.6000
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 ECAD 1480 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2710 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 5 MBd 11ns, 13ns 1,9 V (massimo) 8 mA 5000 Vrm 1/0 25 kV/μs 250ns, 250ns
TLP5754H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H(D4TP4,E 2.0800
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5754 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 4A, 4A 4A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15 V~30 V
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-NEMIC,F) -
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 ECAD 5116 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (illimitato) 264-TLP732(D4-NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4-TPL,E 1.0600
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 ECAD 1208 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2361 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5 V 10mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF2,F) -
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 ECAD 7625 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (illimitato) 264-TLP750(D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4IM-F1,J,F -
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 ECAD 8173 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4IM-F1JF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP265J(V4T7TR,E(T Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TR,E(T -
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 ECAD 9072 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP265 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (illimitato) 264-TLP265J(V4T7TRE(TTR EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 50 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 1mA NO 500 V/μs (tip.) 7mA 100 µs
TLP734(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C173,F) -
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 ECAD 9944 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (illimitato) 264-TLP734(D4-C173F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(D4LF4,E 2.6700
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 ECAD 5296 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5772 DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1,55 V 8 mA 5000 Vrm 1/0 35 kV/μs 150ns, 150ns
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-TP7,F) -
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 ECAD 1848 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL,F -
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 ECAD 6830 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(TOYOGTL,F -
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 ECAD 7371 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Obsoleto - 264-TLP9121A(TOYOGTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(D4-TP4,E -
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 ECAD 1286 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2761 CA, CC 1 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2761(D4-TP4E EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5 V 10mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP3905(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905(TPL,E 1.8500
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 ECAD 9912 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP3905 DC 1 Fotovoltaico 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 30 µA (suggerimento) - 7V 1,65 V 30 mA 3750 Vrm - - 300 µs, 1 ms -
TLP550(SANYD-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(SANYD-O,F) -
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 ECAD 6463 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (illimitato) 264-TLP550(SANYD-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(Y-TPL,E 0,5700
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 ECAD 5381 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP293 DC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2962(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962(TP1,F) 1.2600
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2962 DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50 mA 15 MBd 3ns, 12ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 75ns, 75ns
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF1,F) -
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 ECAD 5424 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 264-TLP626(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8μs, 8μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLP785(D4BL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4BL-T6,F -
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 ECAD 3703 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(D4BL-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118(TPL,E 1.8300
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP118 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 mA 20Mbps 30ns, 30ns 1,61 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 60ns, 60ns
TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(D4-TP,E 2.2400
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 ECAD 5019 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2770 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 20 MBd 1,3 ns, 1 ns 1,5 V 8 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP733F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-GRL,M,F -
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 ECAD 8648 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (illimitato) 264-TLP733F(D4-GRLMF EAR99 8541.49.8000 50
TLP719F(D4SOY-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(D4SOY-TP,F -
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 ECAD 7583 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP719 DC 1 Transistor con base 6-SDIP - 264-TLP719F(D4SOY-TPF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP5771H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H(D4LF4,E 2.6200
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 ECAD 4172 0.00000000 -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) Accoppiamento capacitivo CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1A, 1A 1A 56ns, 25ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 10 V~30 V TLP5771
TLP550(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(LF1,F) -
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 ECAD 1425 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (illimitato) 264-TLP550(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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