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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tipo di canale | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Potenza isolata | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP5774H(D4LF4,E | 2.6800 |  | 5798 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5774 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 4A, 4A | 4A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||
 | TLP5702(TP,E | 1.4400 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1A | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||
| TLP731(D4-GB-LF4,F | - | | 2820 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-GB-LF4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293(BLL-TPL,E | 0,5100 | | 3760 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 500μA | 400% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP513(F) | - | | 5066 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP513 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP513(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP388(D4GB-TR,E | 0,7800 | | 7489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP127(U,F) | - | | 7414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(UF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
| TLP759(D4KEBIMT1JF | - | | 7952 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4KEBIMT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||
| TLP2531(MBS,F) | - | | 6376 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2531 | DC | 2 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2531(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 30% a 16 mA | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||
| TLP2066(TPL,F) | - | | 9257 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP2066 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 3,6 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | 264-TLP2066(TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
| TLP105(DPW-TPL,F) | - | | 6810 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP105 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | 264-TLP105(DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
| TLP759(D4FA1T1SJ,F | - | | 4617 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4FA1T1SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP9104A(FD-TL,F) | - | | 2021 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9104A(FD-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781(TP6,F) | - | | 3754 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(TP6F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP5752(TP,E | 2.5800 | | 7033 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||
| TLP781(D4GRLL6TC,F | - | | 1217 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4GRLL6TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP5214A(D4-TP,E | 7.6900 | | 982 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5214 | Accoppiamento ottico | 1 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 32ns, 18ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||
| TLP781(D4-LF6,F) | - | | 4918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP250(FANUC,F) | - | | 1462 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(FANUCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160J(V4T7,U,C,F | - | | 5917 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160J(V4T7UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP187(V4-TPL,E | - | | 8201 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP187 | DC | 1 | Darlington | 6-SOP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP187(V4-TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
| TLP9148J(OGI-TL,F) | - | | 5576 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9148J(OGI-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2704(E | 1.4400 | | 5375 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2704 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 15 mA | - | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 400ns, 550ns | ||||||||||||||||
| TLP5774H(LF4,E | 2.6800 | | 3977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5774 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 4A, 4A | 4A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||
| TLP2767(TP,E | 2.5900 | | 5296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2767 | DC | 1 | Spingi-tira | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 50 MBd | 2ns, 1ns | 1,6 V | 15 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 20ns, 20ns | ||||||||||||||||
| TLP620F-2(F) | - | | 9705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | - | 1 | - | 8-DIP | - | 264-TLP620F-2(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | - | 55 V | - | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | - | ||||||||||||||||||
 | TLP551(F) | - | | 5111 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP551 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 10% a 16 mA | - | 300ns, 1μs | - | ||||||||||||||||
| DCL540H01(T,E | 6.3000 | | 4016 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | DCL540x01 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Scopo generale | DCL540 | Accoppiamento magnetico | 4 | 2,25 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1.500 | 150Mbps | Unidirezionale | 0,9 n, 0,9 n | 5000 Vrm | SÌ | 4/0 | 100 kV/μs | 18,3 ns, 18,3 ns | 2,8 n | ||||||||||||||||||
| TLP161J(V4DMTR,C,F | - | | 7599 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(V4DMTRCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP388(E | 0,8000 | | 9779 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP388(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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