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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | cms-filtro-intestazione-mfr | cms-filter-header-series | pacchetto-filtro-intestazione-cms | cms-filter-header-productstatus | cms-msl | cms-eccn-pagina-dettaglio | cms-htsus-pagina-dettagli | pacchetto-standard-cms | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora | cms-filtro-intestazione-bpn |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP550(YASK-O,F) | - |  | 6088 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(YASK-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291(GB,SE | 0,6100 | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP785(BL,F) | 0,6400 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5771H(D4LF4,E | 2.6200 | | 4172 | 0.00000000 | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1A, 1A | 1A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 V~30 V | TLP5771 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A(OGIGGBTL,F | - | | 1570 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(OGIGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP626(LF1,F) | - | | 5424 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 264-TLP626(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2962(TP1,F) | 1.2600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP2962 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 mA | 15 MBd | 3ns, 12ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP628MF(E | 0,9100 | | 5073 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP628MF(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 10μs, 10μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP388(E | 0,8000 | | 9779 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP388(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293(Y-TPL,E | 0,5700 | | 5381 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(D4BL-T6,F | - | | 3703 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4BL-T6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2361(V4-TPL,E | 1.0600 | | 1208 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2361 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772H(D4LF4,E | 2.6700 | | 5296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5772 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 56ns, 25ns | 1,55 V | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781F(D4-TP7,F) | - | | 1848 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-TP7F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP121(GR,F) | - | | 9097 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A(TOYOGTL,F | - | | 7371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(TOYOGTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750(D4-O-LF2,F) | - | | 7625 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(D4-O-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2710(TP4,E | 1.6000 | | 1480 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2710 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 5 MBd | 11ns, 13ns | 1,9 V (massimo) | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(D4-NEMIC,F) | - | | 5116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4-NEMICF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(BLL,F | - | | 6830 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(BLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4IM-F1,J,F | - | | 8173 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4IM-F1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734(D4-C173,F) | - | | 9944 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734(D4-C173F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5754H(D4TP4,E | 2.0800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5754 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4A, 4A | 4A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP265J(V4T7TR,E(T | - | | 9072 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP265J(V4T7TRE(TTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1mA | NO | 500 V/μs (tip.) | 7mA | 100 µs | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550(SANYD-O,F) | - | | 6463 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(SANYD-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2761(D4-TP4,E | - | | 1286 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2761(D4-TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(GRH,F | - | | 6028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(GRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3905(TPL,E | 1.8500 | | 9912 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3905 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 30 µA (suggerimento) | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 300 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(GB,F) | - | | 3381 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP781GBF | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP290(GR-TP,E) | - | | 3608 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 4μs, 7μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 7μs, 7μs | 300mV |
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