Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Isolatori(2050)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente: uscita alta, bassa	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Corrente - Uscita di picco	Tempo di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima)	Tensione - Alimentazione in uscita	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
TLP785F(GB-TP7,F	-	Richiesta di offerta	1625	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP785	DC			1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP785F(GB-TP7FTR	EAR99	8541.49.8000	2.000		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									100% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP525G(TP5,F)	-	Richiesta di offerta	1349	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)				CSA, cUL, UL	1	Triac		4-DIP	scaricamento			264-TLP525G(TP5F)	EAR99	8541.49.8000	1							1,15 V	50 mA	2500 Vrm	400 V	100 mA	600 µA										NO	200 V/μs	10mA	-
TLP627MF(LF4,E	0,9200	Richiesta di offerta	8318	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP627	DC			1	Darlington		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	100		150mA			60 µs, 30 µs	300 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm									1000% a 1 mA	-	110 µs, 30 µs	1,2 V
TLP2955F(TP4,F)	-	Richiesta di offerta	1035	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	TLP2955	DC			1	Push-pull, totem	3V~20V	8-SMD	scaricamento			264-TLP2955F(TP4F)	EAR99	8541.49.8000	1		25 mA	5Mbps		16ns, 14ns		1,55 V	25 mA	5000 Vrm				1/0	20kV/μs	250ns, 250ns
TLP750(D4-LF2,F)	-	Richiesta di offerta	2573	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP750								-		1 (illimitato)	264-TLP750(D4-LF2F)	EAR99	8541.49.8000	50
TLP9104A(TOYOG2TLF	-	Richiesta di offerta	4143	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Massa	Obsoleto												-			264-TLP9104A(TOYOG2TLF	EAR99	8541.49.8000	1
TLP292-4(V4LATPE	1.7900	Richiesta di offerta	8491	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm)	TLP292	CA, CC			4	Transistor		16-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm									50% a 500μA	600% a 500μA	3μs, 3μs	300mV
TLP250F(INV-TP4,F)	-	Richiesta di offerta	5846	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				TLP250F								-		1 (illimitato)	264-TLP250F(INV-TP4F)TR	EAR99	8541.49.8000	1.500
TLP754(D4-LF1,F)	-	Richiesta di offerta	1347	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano		DC			1	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 30 V	8-SMD	scaricamento			264-TLP754(D4-LF1F)	EAR99	8541.49.8000	1		15 mA	1Mbps		-		1,55 V	20 mA	5000 Vrm				1/0	20kV/μs	550ns, 400ns
TLP250(D4INV-LF1,F	-	Richiesta di offerta	1415	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP250								-		1 (illimitato)	264-TLP250(D4INV-LF1F	EAR99	8541.49.8000	50
TLP293(E	0,5100	Richiesta di offerta	3658	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP293	DC			1	Transistor		6-MFSOP, 4 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	175		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm									50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP2361(TPR,E	1.0200	Richiesta di offerta	7264	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori	TLP2361	DC			1	Push-pull, totem	2,7 V ~ 5,5 V	6-SO, 5 Piombo	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000		10 mA	15 MBd		3ns, 3ns		1,5 V	10mA	3750 Vrm				1/0	20kV/μs	80ns, 80ns
TLP265J(T7-TPL,E	0,8200	Richiesta di offerta	37	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP265			CQC, cUR, UR	1	Triac		6-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000							1,27 V	50 mA	3750 Vrm	600 V	70 mA	1 mA (suggerimento)										NO	500 V/μs (tip.)	7mA	100μs (massimo)
TLP627M(TP5,E	0,9300	Richiesta di offerta	5883	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP627	DC			1	Darlington		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.500		150mA			60 µs, 30 µs	300 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm									1000% a 1 mA	-	110 µs, 30 µs	1,2 V
TLP781(D4-GR-SD,F)	-	Richiesta di offerta	8248	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP781	DC			1	Transistor		4-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP781(D4-GR-SDF)	EAR99	8541.49.8000	100		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									100% a 5 mA	300% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP781(BL-TP6,F)	-	Richiesta di offerta	3612	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP781	DC			1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP781(BL-TP6F)TR	EAR99	8541.49.8000	2.000		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									200% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP124(BV-TPL,F)	-	Richiesta di offerta	2336	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP124	DC			1	Transistor		6-MFSOP, 4 derivazioni	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP124(BV-TPLF)	EAR99	8541.49.8000	3.000		50mA			8μs, 8μs	80 V	1,15 V	50 mA	3750 Vrm									200% a 1 mA	1200% a 1 mA	10μs, 8μs	400mV
TLP160G(OMT7-TPR,F	-	Richiesta di offerta	7938	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				TLP160								-		1 (illimitato)	264-TLP160G(OMT7-TPRFTR	EAR99	8541.49.8000	3.000
TLP105(V4-TPL,F)	-	Richiesta di offerta	2136	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori	TLP105	DC			1	Push-pull, totem	4,5 V~20 V	6-MFSOP, 5 derivazioni	scaricamento			264-TLP105(V4-TPLF)	EAR99	8541.49.8000	1		25 mA	5Mbps		30ns, 30ns		1,57 V	20 mA	3750 Vrm				1/0	10 kV/μs	250ns, 250ns
TLP2719(D4-TP,E	1.7200	Richiesta di offerta	773	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	TLP2719	DC			1	Collettore aperto	4,5 V~20 V	6-SO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.500		8 mA	1 MBd		-		1,6 V	25 mA	5000 Vrm				1/0	10 kV/μs	800ns, 800ns
TLP266J(T7-TPR,E	-	Richiesta di offerta	3205	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP266			CQC, CSA, cUL, UL, VDE	1	Triac		6-SOP	-		1 (illimitato)	264-TLP266J(T7-TPRETR	EAR99	8541.49.8000	3.000							1,27 V	50 mA	3750 Vrm	600 V	70 mA	600 µA										SÌ	200 V/μs	10mA	30 µs
TLP383(GB,E	-	Richiesta di offerta	4061	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP383	DC			1	Transistor		6-SO, 4 derivazioni	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP383(GBE	EAR99	8541.49.8000	125		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm									100% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP9121A(PSDGBTL,F	-	Richiesta di offerta	5767	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Massa	Obsoleto												-			264-TLP9121A(PSDGBTLF	EAR99	8541.49.8000	1
TLP2404(F)	-	Richiesta di offerta	4058	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	TLP2404	DC			1	Collettore aperto	4,5 V ~ 30 V	8-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP2404F	EAR99	8541.49.8000	100		15 mA	1Mbps		-		1,57 V	25 mA	3750 Vrm				1/0	15 kV/μs	550ns, 400ns
TLP759(D4YSK1T1J,F	-	Richiesta di offerta	1393	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC			1	Transistor con base		8-DIP	scaricamento			264-TLP759(D4YSK1T1JF	EAR99	8541.49.8000	1		8 mA			-	20 V	1,65 V	25 mA	5000 Vrm									20% a 16 mA	-	-	-
TLP250HF(LF4,F)	-	Richiesta di offerta	3827	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	TLP250	DC			1	Push-pull, totem	10 V~30 V	8-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP250HF(LF4F)	EAR99	8541.49.8000	50		2A	-		50ns, 50ns		1,57 V	5mA	3750 Vrm				1/0	40 kV/μs	500ns, 500ns
TLP750(PP,F)	-	Richiesta di offerta	8269	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP750	DC			1	Transistor con base		8-DIP	-			264-TLP750(PPF)	EAR99	8541.49.8000	1		8 mA			-	-	1,65 V	25 mA	5000 Vrm									10% a 16 mA	-	-	-
TLP718(D4-TP,F)	-	Richiesta di offerta	9542	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm)	TLP718	DC			1	Push-pull, totem	4,5 V~20 V	6-SDIP Ala di gabbiano	scaricamento			264-TLP718(D4-TPF)	EAR99	8541.49.8000	1		25 mA	5Mbps		30ns, 30ns		1,6 V	20 mA	5000 Vrm				1/0	10 kV/μs	250ns, 250ns
TLP669L(D4,S,C,F)	-	Richiesta di offerta	3275	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	TLP669			CSA, cUL, UL, VDE	1	Triac		6-DIP	-			264-TLP669L(D4SCF)	EAR99	8541.49.8000	1							1,2 V	30 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	600 µA										SÌ	500 V/μs (tip.)	10mA	30 µs
TLP701F(D4-MBSTP,F	-	Richiesta di offerta	4358	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm)	TLP701		Accoppiamento ottico	TUV, UR	1			6-SDIP Ala di gabbiano	scaricamento			264-TLP701F(D4-MBSTPF	EAR99	8541.49.8000	1	-			600mA	-		-		5000 Vrm					10 kV/μs	700ns, 700ns	-	10 V~30 V