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Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima)
TLP627-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(LF1,F) -
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 ECAD 3833 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (illimitato) 264-TLP627-2(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP715(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(TP,F) -
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 ECAD 2863 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP715(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 250ns, 250ns
TLP2363(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(E 1.0200
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 ECAD 7054 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2363 DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP2363(E EAR99 8541.49.8000 125 25 mA 10Mbps 23ns, 7ns 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP250H(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(D4-LF5,F) -
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 ECAD 8951 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP250 DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP250H(D4-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50ns, 50ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 40 kV/μs 500ns, 500ns
TLP781F(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(YH,F) -
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 ECAD 4899 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 75% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5754(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754(LF4,E 2.7900
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 ECAD 4427 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5754 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 3A, 3A 4A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15 V~30 V
TLP781F(D4-FUNBL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-FUNBL,F -
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 ECAD 3976 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4-FUNBLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(GR-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GR-TP7,F) -
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 ECAD 9957 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(GR-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-Y,F) -
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 ECAD 4779 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(D4-YF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP250(D4FA-TP1S,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4FA-TP1S,F -
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 ECAD 2285 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(D4FA-TP1SFTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP126(ASAD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126(ASAD-TPL,F) -
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 ECAD 5953 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (illimitato) 264-TLP126(ASAD-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP5774(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774(TP,E 2.4500
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5774 Accoppiamento ottico CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 3A, 3A 4A 15ns, 8ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10 V~30 V
TLP250(FANUC-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(FANUC-TP,F) -
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 ECAD 2740 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(FANUC-TPF)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP759F(D4-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4-IGM,J,F -
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 ECAD 6010 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759F(D4-IGMJF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP718F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F(F) -
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 ECAD 9089 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP718 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP718F(F) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 250ns, 250ns
TLP759(D4MBS-IGM,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MBS-IGM,F -
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 ECAD 9951 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4MBS-IGMF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP781(BLL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(BLL-LF6,F) -
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 ECAD 4375 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(BLL-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(D4-YH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-YH-TP6,F -
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 ECAD 1397 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(D4-YH-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 75% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP351H(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351H(D4-TP1,F) 1.6300
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP351 Accoppiamento ottico CQC, cUR, UR, VDE 1 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.49.8000 1.500 400 mA, 400 mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20 mA 3750 Vrm 20kV/μs 700ns, 700ns 500ns 10 V~30 V
TLP754F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F(D4,F) -
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 ECAD 4013 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP754 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento 264-TLP754F(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP705(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705(TP,F) -
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 ECAD 5460 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP705 Accoppiamento ottico UR 1 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 300 mA, 300 mA 450mA - 1,6 V 20 mA 5000 Vrm 10 kV/μs 170ns, 170ns - 10 V~20 V
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GL-TL,E 0,5600
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP624-4(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-4(BV,F) -
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 ECAD 1432 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP624 - 1 (illimitato) 264-TLP624-4(BVF) EAR99 8541.49.8000 25
TLP5231(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231(E 5.5600
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 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5231 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 2 16-SO scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP5231(E EAR99 8541.49.8000 50 1A, 1A 2,5 A 50ns, 50ns 1,7 V 25 mA 5000 Vrm 25 kV/μs 300ns, 300ns 150ns 21,5 V~30 V
TLP781F(D4TEE-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4TEE-T7,F -
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 ECAD 2010 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4TEE-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(TP7,F -
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 ECAD 3430 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP785 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP250HF(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(D4,F) -
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 ECAD 5407 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP250 DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP250HF(D4F) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50ns, 50ns 1,57 V 5mA 3750 Vrm 1/0 40 kV/μs 500ns, 500ns
TLP734F(D4,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4,M,F) -
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 ECAD 1722 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (illimitato) 264-TLP734F(D4MF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5705H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4,E 1.9300
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 ECAD 8018 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,65 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 200ns, 200ns
TLP2372(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372(E 1.9100
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 ECAD 5123 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2372 DC 1 Push-pull, totem 2,2 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP2372(E EAR99 8541.49.8000 125 8 mA 20Mbps 2,2 n., 1,6 n 1,53 V 8 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 75ns, 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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