- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP266J(T7-TPL,E | 0,9000 |  | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | cUL, UL | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP555(F) | - | | 4730 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP555 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,5 V~20 V | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40 mA | 5Mbps | 35ns, 20ns | 1,55 V | 10mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 400ns, 400ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP2766A(E | 1.6400 | | 4000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2766 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2766A(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 5ns, 4ns | 1,8 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||||||
 | 4N26(CORTO,F) | - | | 5618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N26 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2μs, 200μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP387(D4-TPR,E | 0,8700 | | 3796 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP387 | DC | 1 | Darlington | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1 V | ||||||||||||||||||||
 | TLX9185(TOJGBTLF(O | - | | 9576 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185(TOJGBTLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 20% a 5 mA | 600% a 5 mA | 5μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP126(FA-TPLS,F) | - | | 7277 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP126 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP126(FA-TPLSF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5702H(D4-TP,E | 1.7100 | | 3514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/1 | 50 kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||||
| TLP350(D4,Z,F) | - | | 2527 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350(D4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2766F(D4-TP,F) | - | | 7055 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2766F(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4IM-T1,J,F | - | | 9523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4IM-T1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP785F(D4BLF7,F | - | | 8699 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4BLF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP701(F) | - | | 5580 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | cUL, UL | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP250(INV.D4MBS,F) | - | | 4766 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4MBSINVF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(D4GRL-LF2,F | - | | 4287 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4GRL-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-GRL,E) | - | | 1801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-GRLE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785(F | 0,2172 | | 3380 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP9114B(NIS-TL,F) | - | | 5447 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9114B(NIS-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP700HF(D4MBSTP,F | - | | 8746 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SDIP | scaricamento | 1 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 250ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||||||
| TLP358(D4-TP5,F) | - | | 2492 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP358 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP358(D4-TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5A, 5A | 6A | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 250ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP290-4(TP,E | 1.6300 | | 1378 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2766F(D4MBSTP,F | - | | 6271 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP2766 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2766F(D4MBSTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||||||
| TLP781F(Y,F) | - | | 5429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP626(FUJI,F) | - | | 6112 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(FUJIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP781(BL-LF6,F) | - | | 8061 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(BL-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP5752H(TP,E | - | | 6043 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SO | scaricamento | 1 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||||||
| TLP250F(D4FA1T4S,F | - | | 8410 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250F(D4FA1T4SFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP628-2(F) | - | | 5515 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP628 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP628-2(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161J(IFT7,U,C,F | - | | 5879 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(IFT7UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-GRH,E) | - | | 4579 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-GRHE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)