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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP624-2(LF1,F) | - |  | 6546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP624-2(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP160J(U,C,F) | - | | 7927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP160J | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||
 | TLP557(F) | - | | 1392 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -30°C ~ 70°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | Driver del transistor di potenza | TLP557 | DC | UR | 1 | 5V~13V | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP557F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 320mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 25 mA | 2500 Vrm | 2kV/μs | 5μs, 5μs | ||||||||||||||||
 | TLP2962(F) | 1.2700 | | 9992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2962 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2962F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 15 MBd | 3ns, 12ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | TLP385(YH,E | 0,5500 | | 7800 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(SI | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP631(GB,F) | - | | 7988 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP631 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP2066(V4-TPL,F) | - | | 7211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 3,6 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | 264-TLP2066(V4-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||
 | TLP719(TP,F) | - | | 4784 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP719 | DC | 1 | Transistor | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | ||||||||||||||||
| TLP731(BL-LF2,F) | - | | 4648 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(BL-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2710(D4,E | 1.6200 | | 1365 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2710 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 5 MBd | 11ns, 13ns | 1,9 V (massimo) | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
| TLP512(NEMIC,F) | - | | 9991 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(NEMICF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP714(F) | - | | 5428 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP714 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SDIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP714F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
 | TLP2372(V4-TPL,E | 1.9100 | | 11 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2372 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | 20Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| TLP550-LF1,F) | - | | 9611 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2768(D4MBSTP,F) | - | | 3853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2768(D4MBSTPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||
| TLP2118(F) | - | | 4960 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2118 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2118(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP268J(E | 1.0100 | | 7458 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP268 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 200μA (suggerimento) | SÌ | 500 V/μs (tip.) | 3mA | 100 µs | ||||||||||||||||
| TLP570(MBS,F) | - | | 7499 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP570 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP570(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP116A(E | 1.5100 | | 61 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP116 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 5A991 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,58 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| 4N26(CORTO,F) | - | | 5618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N26 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2μs, 200μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||
 | TLP292-4(LGBTP,E | 1.7900 | | 5371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | TLP785(GRL,F | 0,6600 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP785(GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP3052A(TP1,F | 1.4000 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (5 conduttori), Ala di gabbiano | TLP3052 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 600μA (suggerimento) | NO | 2 kV/μs (tip.) | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | TLP785(GRH-TP6,F) | 0,7300 | | 28 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP292-4(TP,E | 1.7900 | | 2765 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP555(F) | - | | 4730 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP555 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,5 V~20 V | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40 mA | 5Mbps | 35ns, 20ns | 1,55 V | 10mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 400ns, 400ns | ||||||||||||||||
| TLP118(E | 2.0200 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP118 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 mA | - | 30ns, 30ns | - | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | TLP291(TP,SE | 0,6000 | | 1495 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP2766A(E | 1.6400 | | 4000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2766 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2766A(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 5ns, 4ns | 1,8 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||
| TLP266J(T7-TPL,E | 0,9000 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | cUL, UL | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs |
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