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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2451A(F) | - |  | 4826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2451 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL | 1 | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2451AF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||
 | TLP290(GR-TP,SE | 0,5100 | | 6444 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP163J(TPR,U,C,F) | - | | 5514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP163 | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | 5A991 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP751(D4-TP1,F) | - | | 7570 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP751 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP751(D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 10% a 16 mA | - | 200ns, 1μs | - | |||||||||||||||||||
 | TLP781(GRL-LF6,F) | - | | 3582 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(GRL-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP3042(TP1,S,C,F) | - | | 8806 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | TLP3042 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP (taglio), 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | TLP3042(TP1SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 100 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP2303(TPR,E | 0,8300 | | 3645 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2303 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | - | 18 V | - | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 5 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP160J(U,C,F) | - | | 7927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP160J | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP127(DEL-TPR,F) | - | | 5359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(DEL-TPRF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP185(GRL,SE | - | | 5327 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP185(GRLS | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
 | TLP281-4(GB-TP,J,F | - | | 7222 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TLP281 | DC | 4 | Transistor | 16-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP732(BL-LF2,F) | - | | 3220 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(BL-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP250H(LF1,F) | 1.7800 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP250H(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2,5 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||||
| TLP759(D4-MBS3,J,F | - | | 7467 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4-MBS3JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP2761F(D4-TP,F) | - | | 3354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2761F(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||
| TLP127(KMC-TPL,F) | - | | 9945 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(KMC-TPLF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP631(Y,F) | - | | 6022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP631(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4SANGBT7F | - | | 9601 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4SANGBT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP268J(TPR,E | 1.0200 | | 8991 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP268 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 200μA (suggerimento) | SÌ | 500 V/μs (tip.) | 3mA | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRH-LF6,F | - | | 2418 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4GRH-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP631(BL-LF2,F) | - | | 9698 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP631(BL-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2270(TP4,E | 2.1900 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2270 | DC | 2 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 20 MBd | 1,3 ns, 1 ns | 1,5 V | 8 mA | 5000 Vrm | 2/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP331(BV,F) | - | | 1266 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP331 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2768A(TP,E | 1.3800 | | 7783 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2768 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
| TLP185(GR-TPL,SE | 0,6100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP570(HITM,F) | - | | 5181 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP570 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP570(HITMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP701F(F) | - | | 2459 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600mA | - | - | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||||
| TLP759(LF2,J,F) | - | | 8954 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(LF2JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | TLP126(F) | - | | 6421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP126 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50mA | 8μs, 8μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP732(D4-GR-LF2,F | - | | 8903 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP732 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 4000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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