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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP183(GR-TPL,E | 0,5100 |  | 9310 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP785(BL-TP6,F | - | | 4940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(BL-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP385(BL-TPR,E | 0,5600 | | 9723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2408(F) | - | | 8958 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2408 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2408F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||
 | TLP781F(GRH-LF7,F) | - | | 9323 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GRH-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP632(LF2,F) | - | | 5494 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP632 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP632(LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2468(TP,F) | - | | 5321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2468 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,57 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
| TLP2405(TP,F) | - | | 1280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2405 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| TLP265J(V4T7TR,E | 0,8400 | | 3858 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 7mA | 20 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP719(TP,F) | - | | 4784 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP719 | DC | 1 | Transistor | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP5754(D4,E | 2.9100 | | 4989 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5754 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 3A, 3A | 4A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP250(D4-FA-TP1,F | - | | 7573 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4-FA-TP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2366(E) | 1.4200 | | 107 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2366 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,61 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||||||||
| TLP701F(TP,F) | - | | 6926 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | TUV, UR | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701F(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600mA | - | - | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||||
 | TLP558(F) | - | | 2611 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP558 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,5 V~20 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP558F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40 mA | 5Mbps | 35ns, 20ns | 1,55 V | 10mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 400ns, 400ns | |||||||||||||||||||
| TLP523-4(F) | - | | 7813 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP523 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP523-4(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120(TPR,F) | - | | 1673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP120 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP120(TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP785F(GRH-T7,F | - | | 4567 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GRH-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP293(BLL,E | 0,5100 | | 130 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP293(BLLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP754F(LF4,F) | - | | 9479 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP754F(LF4,F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP785(BL,F | 0,2214 | | 6329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(BLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP388(D4,E | 0,7900 | | 8401 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP750(ELKO,F) | - | | 1691 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(ELKOF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2531(TOSYK1,F) | - | | 7047 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2531(TOSYK1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP151A(TPL,E | 1.5900 | | 7185 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP151 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP550(HIT-O,F) | - | | 3464 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(COLPODI) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2066(V4-TPL,F) | - | | 7211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 3,6 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | 264-TLP2066(V4-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP781F(BL-LF7,F) | - | | 6707 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(BL-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP250(D4INV-LF5,F | - | | 7593 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4INV-LF5F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(GR,F | 0,2172 | | 1540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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