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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2370(V4-TPL,E | 1.7900 |  | 4245 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2370 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1,5 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | TLP2601(TP1,F) | - | | 8708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP2601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| TLP732(GB,F) | - | | 6969 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293(GRL-TPL,E | 0,5000 | | 4454 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 200% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP385(D4-YH,E | 0,5500 | | 3567 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-YHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
 | TLP785(Y-TP6,F | - | | 7939 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(Y-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | 4N26(CORTO,F) | - | | 5618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N26 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2μs, 200μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||||||
 | TLX9188(GBTPL,F | 3.4000 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 200 V | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP291(GR,SE | 0,6000 | | 8905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP291(GRSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP781(GRH,F) | - | | 3019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP350F(LF4,Z,F) | - | | 2540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350F(LF4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP624-2(BV-TP5,F) | - | | 2670 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP624-2(BV-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160J(TPL,U,C,F) | - | | 9471 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160J(TPLUCF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3064(D4TP1S,C,F | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | TLP3064 | cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP (taglio), 5 derivazioni | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,4 V | 30 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 3mA | - | |||||||||||||||
| TLP781(Y-TP6,F) | - | | 1947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(Y-TP6F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP2962(F) | 1.2700 | | 9992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2962 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2962F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 15 MBd | 3ns, 12ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
 | TLP116A(E | 1.5100 | | 61 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP116 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 5A991 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,58 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | TLP3910(D4-TP,E | 3.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP3910 | DC | 2 | Fotovoltaico | 6-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | - | 24 V | 3,3 V | 30 mA | 5000 Vrm | - | - | 300 µs, 100 µs | - | |||||||||||||||
| TLP785(Y,F | 0,2172 | | 3328 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
| TLP331(BV-TP1,F) | - | | 6286 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP331(BV-TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2768F(TP,F) | - | | 3141 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP2768 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2768F(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP630(F) | - | | 6206 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP630 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 264-TLP630(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP105(HO-TPR,F) | - | | 6609 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | 264-TLP105(HO-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
 | TLP3910(E | 3.3300 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP3910 | DC | 2 | Fotovoltaico | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP3910(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | - | 24 V | 3,3 V | 30 mA | 5000 Vrm | - | - | 300 µs, 100 µs | - | |||||||||||||||
| TLP785 | - | | 6344 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP714(TP,F) | - | | 8566 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP714(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
| TLP127(TEE-TPL,F) | - | | 6109 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(TEE-TPLF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP385(D4BL-TL,E | 0,5600 | | 8553 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP383(D4,E | - | | 1774 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP383(D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP715F(D4,F) | - | | 8953 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP715F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns |
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