- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP352F(D4-TP4,F) | 1.9400 |  | 229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP352 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP5752(D4,E | 2.5900 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP127(S410,F) | - | | 8567 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(S410F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP185(GB-TPL,E) | - | | 4003 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP185(GB-TPLE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||||||
 | TLP385(D4-Y,E | 0,5400 | | 9961 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-YE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP759F(FA1T4S,J,F | - | | 3809 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759F(FA1T4SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP250(D4-TP5,NP,F | - | | 2611 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4-TP5NPFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532(MBS,F) | - | | 3029 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP532(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP126(ASAHID,F) | - | | 4731 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP126 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP126(ASAHIDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP161J(TPR,U,C,F) | - | | 8605 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP161J | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||||||
| TLP734(D4-GR,M,F) | - | | 2461 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734(D4-GRMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GL-TR,E | 0,5600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP385(BLL-TPR,E | 0,5500 | | 5465 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP352(D4,S) | - | | 3732 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP352 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352(D4S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759(IGM,J,F) | - | | 9198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(IGMJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 25% a 10 mA | 75% a 10 mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP121(GRL-TPR,F) | - | | 2000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(GRL-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP2312(TPR,E | 1.7100 | | 7726 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2312 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
| TLP183(Y-TPL,E | 0,5000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2704(TP,E | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2704 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 mA | - | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 400ns, 550ns | ||||||||||||||||||||
| TLP351(Z,F) | - | | 2899 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP351 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP351(ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(Y,F | - | | 5182 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP267J(E | 1.0100 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP267 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 200μA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 3mA | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP734(D4-GRL,M,F) | - | | 1374 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734(D4-GRLMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(GR-LF7,F | - | | 3252 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GR-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP731(BL-LF2,F) | - | | 4648 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(BL-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GR-TL,E | 0,5600 | | 4079 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP700F(ABB-TP,F) | - | | 3397 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP700 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP700F(ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000 Vrm | 15 kV/μs | 500ns, 500ns | - | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||||
| TLP9121A(PASGBTL,F | - | | 1110 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(PASGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(BLL-TL,SE | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP387(D4-TPR,E | 0,8700 | | 3796 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP387 | DC | 1 | Darlington | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)