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Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tipo di canale Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Potenza isolata Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima)
TLP630(MBS-H,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(MBS-H,F) -
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 ECAD 5139 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP630 CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 264-TLP630(MBS-HF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPL,E 0,5100
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 ECAD 1851 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP293 DC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP127(V4-TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(V4-TPL,U,F) -
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 ECAD 1254 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(V4-TPLUF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP2200F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200F -
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 ECAD 2215 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP2200 DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2200(F) EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 2,5 MBd 35ns, 20ns 1,55 V 10mA 2500 Vrm 1/0 1kV/μs 400ns, 400ns
TLP385(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(YH,E 0,5500
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 ECAD 7800 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP385(SI EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 75% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
DCL540C01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540C01(T,E 6.4900
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 ECAD 4039 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage DCL540x01 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) Scopo generale DCL540 Accoppiamento magnetico 4 2,25 V ~ 5,5 V 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 1.500 150Mbps Unidirezionale 0,9 n, 0,9 n 5000 Vrm SÌ 4/0 100 kV/μs 18,3 ns, 18,3 ns 2,8 ns
TLP559(IGM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP559(IGM,F) -
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 ECAD 1752 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP559 DC 1 Transistor 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 25% a 10 mA 75% a 10 mA 450ns, 450ns -
TLP750(ELKO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(ELKO,F) -
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 ECAD 1691 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (illimitato) 264-TLP750(ELKOF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4-LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-LF1,J,F) 2.6400
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 ECAD 105 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP759 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP759(D4-LF1JF) EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - 200ns, 300ns -
TLP754F(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F(LF4,F) -
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 ECAD 9479 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 8-SMD scaricamento 264-TLP754F(LF4,F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP358H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358H(F) 3.4500
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 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP358H Accoppiamento ottico CSA, cUL, UL, VDE 1 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 5,5 A, 5,5 A 6A 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 250ns 15 V~30 V
TLP120(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(TPR,F) -
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 ECAD 1673 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP120 CA, CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP120(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP293(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BLL,E 0,5100
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 ECAD 130 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP293 DC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP293(BLLE EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP523-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4(F) -
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 ECAD 7813 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (illimitato) 264-TLP523-4(F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP388(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4,E 0,7900
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 ECAD 8401 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 350 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRH-T7,F -
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 ECAD 4567 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(GRH-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP250(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-LF2,F) -
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 ECAD 3020 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2768F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(TP,F) -
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 ECAD 3141 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP2768 DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP2768F(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,55 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
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 ECAD 6344 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP3910(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(E 3.3300
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 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP3910 DC 2 Fotovoltaico 6-SO scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP3910(E EAR99 8541.49.8000 125 - - 24 V 3,3 V 30 mA 5000 Vrm - - 300 µs, 100 µs -
TLP630(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(F) -
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 ECAD 6206 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP630 CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 264-TLP630(F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP182(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(BL-TPL,E 0,5600
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 ECAD 9964 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP182 CA, CC 1 Transistor 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP759(D4IM-T5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4IM-T5,J,F -
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 ECAD 6616 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4IM-T5JF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP2355(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355(E 1.0200
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 ECAD 4365 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2355 DC 1 Push-pull, totem 3V~20V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 25 kV/μs 250ns, 250ns
TLP127(TEE-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TEE-TPL,F) -
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 ECAD 6109 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(TEE-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP383(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(BL,E -
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 ECAD 5596 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP383(BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP250(D4-INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-INV,F) -
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 ECAD 7335 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(D4-INVF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BL-LF6,F -
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 ECAD 8967 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(BL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP161G(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(TPL,U,C,F) -
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 ECAD 7301 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (illimitato) 264-TLP161G(TPLUCF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP358F(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F(D4-LF4,F) -
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 ECAD 3746 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP358 DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 8-SMD scaricamento 264-TLP358F(D4-LF4F) EAR99 8541.49.8000 1 6A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 500ns, 500ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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