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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP732(D4-GB,F) | - |  | 8428 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4-GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GRH-F7,F | - | | 3128 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GRH-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP700AF(D4-TP,6) | - | | 6799 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP700 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP700AF(D4-TP6)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP292-4(GB,E | 1.7900 | | 2865 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP184(TPR,SE | 0,5000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP781F(D4-Y-TP7,F | - | | 9935 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP126(MBS-TPL,F) | - | | 4591 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP126 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP126(MBS-TPLF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293(GB-TPL,E | 0,5100 | | 1851 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP5771H(D4,E | 2.4500 | | 4150 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5771 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP117(F) | - | | 2120 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP117 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991 | 8541.49.8000 | 150 | 10 mA | 50 MBd | 3ns, 3ns | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 20ns, 20ns | ||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-GR-LF6,F | - | | 6070 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-GR-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP108(DPW-TPL,F) | - | | 9586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | 264-TLP108(DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP293(GRH-TPL,E | 0,5100 | | 5705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 500μA | 300% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785(D4-Y-F6,F | - | | 2729 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4-Y-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-BL,F) | - | | 5474 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2631(LF1,F) | - | | 7104 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2631(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750(D4-O,F) | - | | 8171 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(D4-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP701A(TP,F) | - | | 6002 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701A(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP2395(TPL,E | - | | 6515 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2395 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 6-SO, 5 Piombo | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2395(TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | 5Mbps | 15ns, 12ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| TLP352F(D4-TP4,S) | - | | 6364 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP352F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352F(D4-TP4S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759F(MATDIGMJ,F | - | | 8454 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759F(MATDIGMJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| TLP627-2(HITOMK,F) | - | | 6037 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627-2(HITOMKF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5832(D4,E | 2.8300 | | 1178 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP265J(T7,E | - | | 1489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP265J(T7E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1mA | NO | 500 V/μs (tip.) | 7mA | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP785(D4-GRL,F | - | | 4785 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4-GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP759(D4YSKT1,J,F | - | | 1815 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4YSKT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP714(F) | - | | 5428 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP714 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SDIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP714F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||||
 | TLP358H(F) | 3.4500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP358H | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 5,5 A, 5,5 A | 6A | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 250ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP184(SE | 0,5000 | | 1390 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP630(MBS-H,F) | - | | 5139 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP630 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 264-TLP630(MBS-HF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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