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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2768(D4MBSTP,F) | - |  | 3853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2768(D4MBSTPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
| TLP715F(F) | - | | 4992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP715 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP | scaricamento | 264-TLP715F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP750(D4-TP4,F) | - | | 9240 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(D4-LF2,F) | - | | 9267 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A(BYDGBTL,F | - | | 4024 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(BYDGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(MBS-TPL,F) | - | | 5067 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(MBS-TPLF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP781(D4,F) | - | | 9988 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP2719(D4-TP4,E | 0,6080 | | 9228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2719 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~20 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2719(D4-TP4ETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | 1 MBd | - | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 800ns, 800ns | |||||||||||||||
| TLP620-4(MEIDEN,F) | - | | 5354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP620 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | 264-TLP620-4(MEIDENF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP5772H(LF4,E | 2.6700 | | 7106 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5772 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 56ns, 25ns | 1,55 V | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||
 | TLP105(F) | - | | 6829 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP105 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991 | 8541.49.8000 | 150 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP350(D4-TP1,Z,F) | - | | 7497 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350(D4-TP1ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP352F(S) | - | | 7703 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP352F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352F(S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP185(GR,SE | 0,6000 | | 5164 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP185(GRESE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
 | TLP385(GB,E | 0,5500 | | 4799 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP731(D4GRL-LF2,F | - | | 7640 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4GRL-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161J(TPL,U,C,F) | - | | 2113 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(TPLUCF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2955(MBD,F) | - | | 4867 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2955(MBDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
 | TLP627-4F | - | | 5834 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP627 | DC | 4 | Darlington | 16-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP781(D4GRLT6TC,F | - | | 8955 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4GRLT6TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP383(GR-TPL,E | 0,6000 | | 2297 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP183(BL-TPR,E | - | | 2798 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(BL-TPRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP731(D4-GB,F) | - | | 2744 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP291(SE | 0,5900 | | 8438 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP291(SE(T | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP184(TPL,E) | - | | 2019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | TLP184(TPLE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP184(GR-TPR,SE | 0,5000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP785F(F | - | | 9190 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP781F(D4-GRH,F) | - | | 3436 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP183(GRH,E | 0,5000 | | 9795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(GRHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
 | TLP3052(S,C,F) | - | | 8903 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | TLP3052 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP (taglio), 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 10mA | - |
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