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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2312(V4,E | 1.7100 |  | 2802 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2312 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 5Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
| TLP185(YL-TPL,SE | - | | 9890 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP185(YL-TPLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||
| TLP2766A(LF4,E | 1.6400 | | 6202 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 5ns, 4ns | 1,8 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
| TLP358F(D4,F) | - | | 4603 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP358 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP358F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 6A | - | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||
| TLP352(TP1,S) | - | | 1790 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP352 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352(TP1S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2366(V4-TPL,E | 1.5200 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2366 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,61 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||
 | TLP785(YH-TP6,F | - | | 3725 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(YH-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
 | TLX9300(TPL,F | 3.1500 | | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLX9300 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | - | 40 V | 1,25 V | 30 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 900% a 5 mA | 15 µs, 50 µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP351(D4-TP1,Z,F) | - | | 5509 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP351 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP351(D4-TP1ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP350F(TP4,Z,F) | - | | 5807 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350F(TP4ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP700F(D4,F) | - | | 4392 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP700 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP700F(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000 Vrm | 15 kV/μs | 500ns, 500ns | - | 15 V~30 V | |||||||||||||||
 | TLP293-4(GB,E | 1.6400 | | 1036 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP785(D4-Y,F | - | | 4198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4-YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
 | TLP383(TPL,E | - | | 4280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP383(TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP2367(TPR,E | 2.5600 | | 21 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2367 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 50 MBd | 2ns, 1ns | 1,6 V | 15 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 20ns, 20ns | |||||||||||||
 | TLP2768A(D4,E | - | | 4058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2768 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2768A(D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||
 | TLPN137(F) | 1.5600 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLPN137 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 3ns, 12ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||
| TLP2312(V4-TPR,E | 1.7300 | | 7089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2312 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
| TLP785F(D4-GRH,F | - | | 2557 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4-GRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
| TLP627MF(D4-T4,E | 0,9200 | | 2046 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||
 | TLP185(GR-TPR,E) | - | | 6321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||
 | TLP512(F) | - | | 7043 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP512 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP512F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | ||||||||||||
| TLP131(GR-TPR,F) | - | | 8853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP131 | DC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP131(GR-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||
| TLP152(TPL,E | 1.3000 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP152 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 2A, 2A | 2,5 A | 18ns, 22ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 145ns, 165ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||
| TLP5752H(D4LF4,E | 1.9700 | | 2389 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||
| TLP785F(Y-LF7,F | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(Y-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
| TLP5751H(LF4,E | 1.8700 | | 3058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5751 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||
| TLP2309(TPL,E) | 1.2700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2309 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 16 mA | - | 1μs, 1μs (massimo) | - | |||||||||||||
| TLP754F(F) | - | | 8479 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP754F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
| TLP532(GB,F) | - | | 7167 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP532(GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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