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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tipo di canale | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Potenza isolata | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP383(GB-TPL,E | - |  | 4079 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Scatola | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
 | TLP5705H(E | 1.9300 | | 2268 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5705H(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP716F(ABB-TP,F) | - | | 6660 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP716 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SDIP | scaricamento | 264-TLP716F(ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 15 MBd | 15ns, 15ns | 1,65 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| TLP127(ITO-TPR,U,F | - | | 3744 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(ITO-TPRUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GR-LF7,F | - | | 8701 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GR-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP732(D4COS-LF2,F | - | | 9163 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4COS-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627M(E | 0,9000 | | 8368 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP627M(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | - | 1000% a 1 mA | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP734F(D4-C173,F) | - | | 6004 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734F(D4-C173F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP718F(D4-FA-TP,F | - | | 5186 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP718F(D4-FA-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5Mbps | - | - | - | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP160G(TPL,U,F) | - | | 5638 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160G(TPLUF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-2(GR,F) | - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP620 | CA, CC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP620-2(GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | TLP290(BLL-TP,E) | - | | 2482 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 4μs, 7μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 7μs, 7μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP250(LF5,F) | - | | 6847 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP525G(LF1,F) | - | | 3080 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP525 | CSA, cUL, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 264-TLP525G(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400 V | 100 mA | 600μA | NO | 200 V/μs | 10mA | - | |||||||||||||||||||||
| TLP120(TPL,F) | - | | 9244 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP120 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP120(TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP631(BL-LF1,F) | - | | 6060 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP631(BL-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(BL,E | 0,5500 | | 6092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
 | TLP781(D4-Y-LF6,F) | - | | 4558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-Y-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4BL-TP7,F | - | | 2536 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4BL-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP5702(D4-LF4,E | 1.5500 | | 6558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5702(D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP360J(D4-CANO) | - | | 8335 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP360 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4-DIP | - | 264-TLP360J(D4-CANO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 1mA | NO | 500 V/μs (tip.) | 10mA | 30 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP785(D4GB-T6,F | - | | 8586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4GB-T6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP731(D4-GB-TP1,F | - | | 5890 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-GB-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP331(LF5,F) | - | | 1127 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP331(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731(GR,F) | - | | 7253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP290(TP,SE | 0,5100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP627M(D4-LF5,E | 0,9300 | | 3056 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | |||||||||||||||||||||
| TLP550,F) | - | | 8887 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCL541B01(T,E | 6.3000 | | 7575 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | DCL541x01 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Scopo generale | DCL541 | Accoppiamento magnetico | 4 | 2,25 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1.500 | 150Mbps | Unidirezionale | 0,9 n, 0,9 n | 5000 Vrm | SÌ | 3/1 | 100 kV/μs | 18,3 ns, 18,3 ns | 2,8 n | ||||||||||||||||||||||
| TLP131(GB-TPL,F) | - | | 8605 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP131 | DC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP131(GB-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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