- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Grado | Qualificazione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP531(HIT-BL-L1,F | - |  | 1481 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(HIT-BL-L1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP383(E | - | | 7187 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP383(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP732(D4-GB-LF2,F | - | | 9902 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4-GB-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5754(TP,E | 2.9100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5754 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||
| TLP512(NEMIC-LF1,F | - | | 7059 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(NEMIC-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLX9291A(GBTPL,F | 3.1500 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLX9291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 5μs, 5μs | 400mV | Automobilistico | AEC-Q101 | ||||||||||||||
| TLP5771H(E | 2.4500 | | 7397 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5771 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5771H(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||
| TLP705A(D4-TP,F) | - | | 3907 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP705 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP705A(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 35ns, 15ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 10 V~30 V | ||||||||||||||||
| TLP700AF(TP,F) | - | | 8238 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP700 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP700AF(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||
| TLP182(TPR,E | - | | 6419 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP182(TPRETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP2367(E | 2.5100 | | 9738 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2367 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 50 MBd | 2ns, 1ns | 1,6 V | 15 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 20ns, 20ns | |||||||||||||||
| TLP9104(TOYOG-TL,F | - | | 5609 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9104(TOYOG-TLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250(D4-TP5,F) | - | | 7368 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP250HF(D4-TP4,F) | - | | 6360 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP250HF(D4-TP4F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 5mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||
| TLP627M(E(OX4 | - | | 7369 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627M(E(OX4 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP352(S) | - | | 2331 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP352 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352(S) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2710(D4-TP4,E | 1.6000 | | 2299 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2710 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 5 MBd | 11ns, 13ns | 1,9 V (massimo) | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP705(D4,F) | - | | 8396 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP705 | Accoppiamento ottico | CSA, cUR, UR, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP705(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 300 mA, 300 mA | 450mA | - | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 200ns, 200ns | - | 10 V~20 V | ||||||||||||||
| TLP785F(D4-GRL,F | - | | 8739 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4-GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP105(MBS-TPL,F) | - | | 5473 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | 264-TLP105(MBS-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
| TLP121(V4-GR-TPL,F | - | | 1783 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(V4-GR-TPLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP9118(HITJ-TL,F) | - | | 7220 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9118(HITJ-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP570(MBS,F) | - | | 7499 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP570 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP570(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3906(TPL,E | 1.9500 | | 42 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3906 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 12μA | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 200 µs, 300 µs | - | |||||||||||||||
| TLP2703(E | 1.4600 | | 1968 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2703 | DC | 1 | Darlington | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2703(E(T | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 80 mA | - | 18 V | 1,47 V | 20 mA | 5000 Vrm | 900% a 500μA | 8000% a 500μA | 330 ns, 2,5 µs | - | ||||||||||||||
| TLP2719(E | 1.7200 | | 1683 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2719 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~20 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2719(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 1 MBd | - | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 800ns, 800ns | |||||||||||||||
| TLP631(TP5,F) | - | | 6088 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP631(TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120(GR-TPR,F) | - | | 8321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP120 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP120(GR-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||
 | TLP2409(TP,F) | - | | 1678 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2409 | DC | 1 | Transistor | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 16 mA | - | 20 V | 1,57 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | |||||||||||||||
| TLP5701(TP,E | 1.2700 | | 6927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5701 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 500ns, 500ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)