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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP785F(BL-TP7,F | - |  | 8055 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(BL-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP732F(D4-BL-T4,F | - | | 7427 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732F(D4-BL-T4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP715(D4,F) | - | | 5372 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP715 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP715(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP3906(E | 1.9500 | | 99 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3906 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 30 µA (suggerimento) | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 200 µs, 300 µs | - | ||||||||||||||||||||
| TLP250(LF2,F) | - | | 3788 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3924(TP15,F) | 4.0800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | TLP3924 | DC | 1 | Fotovoltaico | 4-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4 µA | - | 30 V | 1,3 V | 30 mA | 1500 Vrm | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP166J(V4,C,F) | - | | 3956 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP166 | UR, VDE | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||||||
| TLP5751H(LF4,E | 1.8700 | | 3058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5751 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP785F(Y-LF7,F | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(Y-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP734(D4-GB,M,F) | - | | 7783 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734(D4-GBMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP733F(D4-GR,M,F) | - | | 8922 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP733 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP733F(D4-GRMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627M(LF5,E | 0,9300 | | 7235 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP352F(TP4,F) | 1.7800 | | 9906 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP352 | Accoppiamento ottico | cUR, UR, VDE | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP183(YH-TPL,E | 0,4600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP759F(ISIMT4,J,F | - | | 2248 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759F(ISIMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP714F(TP,F) | - | | 6424 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP714F(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP555(F) | - | | 4730 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP555 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,5 V~20 V | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40 mA | 5Mbps | 35ns, 20ns | 1,55 V | 10mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 400ns, 400ns | ||||||||||||||||||||
| TLP785(YH-LF6,F | - | | 4217 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(YH-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | 4N37(CORTO,F) | - | | 1571 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 4N37(CORTO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP352F(TP4,S) | - | | 4330 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP352F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352F(TP4S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627-4(PP,F) | - | | 9897 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627-4(PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2719(D4-LF4,E | 1.7200 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | TLP2719 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~20 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2719(D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 1 MBd | - | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 800ns, 800ns | |||||||||||||||||||||
| TLP291(V4GBTP,SE | 0,6000 | | 5106 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP281-4(TP,J,F) | - | | 4954 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TLP281 | DC | 4 | Transistor | 16-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP550-LF1,F) | - | | 9611 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4-MBS,J,F) | - | | 1349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4-MBSJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | TLP2761(D4-TP,E | 1.1800 | | 6254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP352(TP1,F) | 1.9900 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP352 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP161J(OMT30,UC,F | - | | 3114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(OMT30UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(BLL,F) | - | | 5143 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(BLLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
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