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Isolatori(2050)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima)
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(TP4,E 1.5600
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 ECAD 7130 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5702 DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 200ns, 200ns
TLP250HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(F) -
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 ECAD 6169 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP250 DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP250HF(F) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50ns, 50ns 1,57 V 5mA 3750 Vrm 1/0 40 kV/μs 500ns, 500ns
TLP523(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523(TOJS,F) -
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 ECAD 8741 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (illimitato) 264-TLP523(TOJSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP105(DHNS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(DHNS-TPL,F) -
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 ECAD 3482 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP105 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 6-MFSOP, 5 derivazioni scaricamento 264-TLP105(DHNS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 250ns, 250ns
TLP5771H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H(LF4,E 2.5900
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 ECAD 8462 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5771 Accoppiamento capacitivo CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 1A, 1A 1A 56ns, 25ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10 V~30 V
TLP2955F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F(F) -
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 ECAD 3171 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP2955 DC 1 Push-pull, totem 3V~20V 8-DIP scaricamento 264-TLP2955F(F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 16ns, 14ns 1,55 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP352F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F(D4,F) 1.7400
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 ECAD 49 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP352 Accoppiamento ottico CSA, cUL, UL, VDE 1 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2,5 A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 3750 Vrm 20kV/μs 200ns, 200ns 50ns 15 V~30 V
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(TP1,F) -
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 ECAD 4288 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP624 - 1 (illimitato) 264-TLP624-2(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N37(CORTO-TP5,F) -
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 ECAD 9038 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N37 DC 1 Transistor con base 6-SMD - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 4N37(CORTO-TP5F) EAR99 8541.49.8000 1.500 100mA - 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 3μs, 3μs 300mV
TLP2270(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270(D4-TP4,E 3.0900
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 ECAD 7263 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2270 CA, CC 2 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 20 MBd 1,3 ns, 1 ns 1,5 V 8 mA 5000 Vrm 2/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP351F(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351F(Z,F) -
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 ECAD 5027 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP351 - 1 (illimitato) 264-TLP351F(ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631(TP5,F) -
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 ECAD 7126 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP2631 - 1 (illimitato) 264-TLP2631(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLX9175J(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9175J(TPL,F 4.9500
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 105°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLX9175 DC 1 MOSFET 6-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 - - - 1,65 V 25 mA 3750 Vrm - - 200 µs, 200 µs -
TLP291(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TP,SE 0,6000
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP109(IGM-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM-TPL,E 1.2600
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 ECAD 4130 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP109 DC 1 Transistor 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA - 20 V 1,64 V 20 mA 3750 Vrm 25% a 10 mA 75% a 10 mA 450ns, 450ns -
TLP126(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126(TEE-TPLS,F) -
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 ECAD 7628 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (illimitato) 264-TLP126(TEE-TPLSF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP131(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GR-TPL,F) -
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 ECAD 3379 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP131 DC 1 Transistor con base 6-MFSOP, 5 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP131(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2530(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(PP,F) -
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 ECAD 6811 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP2530 DC 2 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP2530(PPF) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 15 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 30% a 16 mA 300ns, 500ns -
TLP5212(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212(TP,E 5.4900
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5212 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 16-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 2A, 2A 2,5 A 57ns, 56ns 1,67 V 25 mA 5000 Vrm 25 kV/μs 250ns, 250ns 50ns 15 V~30 V
TLP759F(D4STIT4J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4STIT4J,F -
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 ECAD 3246 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759F(D4STIT4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP759F(D4MBIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4MBIM,J,F -
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 ECAD 7448 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759F(D4MBIMJF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(TPR,E 1.4100
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2304 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 15 mA 1 MBd - 1,55 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP121(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRL,F) -
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 ECAD 7071 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP121(GRLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H(D4-MBSTP,F -
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 ECAD 7823 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Acquisto per l'ultima volta -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) Accoppiamento ottico CSA, cUL, UL, VDE 2 6-SDIP scaricamento 1 2A, 2A 2A 15μs, 8μs 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 20kV/μs 500ns, 500ns 250ns 15 V~30 V
TLP5774H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(E 2.4800
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 ECAD 6998 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5774 Accoppiamento capacitivo CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP5774H(E EAR99 8541.49.8000 125 4A, 4A 4A 56ns, 25ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10 V~30 V
TLP250F(INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F(INV,F) -
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 ECAD 5700 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP250F - 1 (illimitato) 264-TLP250F(INVF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(V4-MBS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(V4-MBS-TL,F -
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 ECAD 1423 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(V4-MBS-TLF EAR99 8541.49.8000 1 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP250(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-LF1,F) -
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 ECAD 7308 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (illimitato) 264-TLP250(D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP350(TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350(TP5,Z,F) -
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 ECAD 2149 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP350 - 1 (illimitato) 264-TLP350(TP5ZF)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP759(FANUC1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(FANUC1T1J,F -
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 ECAD 5503 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(FANUC1T1JF EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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