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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP5214(TP,E | 8.1000 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5214 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL | 1 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 32ns, 18ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP781F(D4FUNBLL,F | - | | 3703 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4FUNBLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP351(TP1,F) | 1.7300 | | 6243 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP351 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP266J(V4T7TR,E | 0,9300 | | 2986 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP250LF1F | - | | 8722 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -20°C~85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | Accoppiamento ottico | UR | 1 | 8-SMD | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 500 mA, 500 mA | 1,5 A | - | 1,6 V | 20 mA | 2500 Vrm | 5 kV/μs | 500ns, 500ns | - | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP5752H(TP4,E | 1.9500 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP352(D4-HW-TP1,S | - | | 6819 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP352 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP352(D4-HW-TP1STR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291(GRH-TP,SE | 0,5900 | | 9517 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP183(GRL,E | 0,5100 | | 9052 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(GRLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
 | TLP104(V4,E | 1.5100 | | 4721 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP104 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 1Mbps | - | 1,61 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||
| TLP2955(D4-TP1,F) | - | | 6345 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP2955(D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP266J(TPR,E | 0,9000 | | 6709 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | |||||||||||||||||||||
 | TLP785F(LF7,F | - | | 9999 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP9148J(ND-TL,F) | - | | 2452 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9148J(ND-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP161G(U,C,F) | - | | 8267 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP161G | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||||||
| TLP785(Y-LF6,F | - | | 6945 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(Y-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP627-4(HITOMK,F) | - | | 2239 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627-4(HITOMKF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3905(E | 1.8000 | | 22 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3905 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 30 µA (suggerimento) | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 300 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||||
| TLP620-4(BL-FNC,F) | - | | 6875 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | 264-TLP620-4(BL-FNCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP550(PP,F) | - | | 9422 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP182(Y,E | 0,5500 | | 1756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP182(SI | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP552 MRON,F) | - | | 7282 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP552 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP552MRONF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP358(TP1,F) | - | | 8637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP358 | Accoppiamento ottico | cUL, UL | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 5A, 5A | 6A | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 250ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP701(MBS-TP,F) | - | | 2243 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701(MBS-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600 mA, 600 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP5214(D4,E | 7.5600 | | 3196 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5214 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 3A, 3A | 4A | 32ns, 18ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP759F(D4ISIMT4JF | - | | 8985 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759F(D4ISIMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP2367(TPL,E | 0,9641 | | 4672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2367 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2367(TPL | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 50 MBd | 2ns, 1ns | 1,6 V | 15 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 20ns, 20ns | |||||||||||||||||||
| TLP523(LF1,F) | - | | 8993 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP523 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP523(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP385(D4-TPR,E | 0,5600 | | 6071 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP9121A(FD-GBTL,F | - | | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(FD-GBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 |
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