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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP700AF(D4-TP,S) | - |  | 3045 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP700 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP700AF(D4-TPS)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627M(TP1,E | 0,9300 | | 8195 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||
| TLP785F(D4-GR,F | - | | 1238 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4-GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
 | TLP781(YH-LF6,F) | - | | 5929 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(YH-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
 | TLP5752H(TP4,E | 1.9500 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||
 | TLP2745(E | - | | 9400 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2745 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2745(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 mA | - | 3ns, 3ns | 1,55 V | 15 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 30 kV/μs | 120ns, 120ns | |||||||||||||
 | TLP551(Y-LF1,F) | - | | 4205 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP551 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | - | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP551(Y-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 10% a 16 mA | - | 300ns, 1μs | - | ||||||||||||
| TLP700F(D4FNC-TP,F | - | | 6090 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP700 | Accoppiamento ottico | TUV, UR | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP700F(D4FNC-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000 Vrm | 15 kV/μs | 500ns, 500ns | - | 15 V~30 V | |||||||||||||||
 | TLP2601(F) | - | | 8371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||
| TLP785(GB,F | 0,2214 | | 1711 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP2768(TP,F) | - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP2768 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2768(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||
| TLP5752H(D4-TP,E | - | | 1023 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SO | scaricamento | 1 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||
 | TLP291(Y-TP,SE | 0,6000 | | 1551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP512(NEMIC-TP1,F | - | | 8791 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(NEMIC-TP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2955(F) | 1.8500 | | 579 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2955 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | - | 16ns, 14ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||
| TLP732(D4GRH-TP5,F | - | | 9844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4GRH-TP5F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP626(MAT-LF2,F) | - | | 9349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(MAT-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP351(D4-TP5,Z,F) | - | | 7659 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP351 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP351(D4-TP5ZF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-4(BL-FNC,F) | - | | 6875 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | 264-TLP620-4(BL-FNCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP781F(D4-YH,F) | - | | 5200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-YHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
| TLP620-4(D4GB-F1,F | - | | 4840 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | 264-TLP620-4(D4GB-F1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP714F(4HWTP,F | - | | 7589 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP714 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 30 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP714F(4HWTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||
| TLX9185(KBDGBTLF(O | - | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185(KBDGBTLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 20% a 5 mA | 600% a 5 mA | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP352(LF1,F) | 1.9500 | | 7861 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP352 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||
| TLP291(GR-TP,E) | - | | 7257 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 4μs, 7μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 7μs, 7μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP531(MBS-TP5,F) | - | | 3705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(MBS-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2958(F) | - | | 3778 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2958(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP781(BLL-TP6,F) | - | | 7168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(BLL-TP6F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
 | TLP2310(TPL,E | 1.5500 | | 8032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2310 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 5Mbps | 11ns, 13ns | 1,53 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||
| TLP732(D4-GRL,F) | - | | 7537 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(D4-GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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