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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP383(GB-TPL,E | - |  | 4079 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Scatola | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
 | TLP2368(TPL,E | 1.8100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2368 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP700AF(D4-TP,S) | - | | 3045 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP700 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP700AF(D4-TPS)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2200(LF1,F) | - | | 4746 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2200 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2200(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP350F(Z,F) | - | | 8950 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350F(ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP168J(TPR,U,C,F) | - | | 1634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP168 | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,4 V | 20 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 3mA | - | ||||||||||||||||||||
| TLP2451(F) | - | | 9513 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2451 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2451(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2451(TP,F) | - | | 8881 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP2451 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2451(TPF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP358(D4-TP1,F) | - | | 1860 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP358 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP358(D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5,5 A | - | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||||||
| TLP250(D4-MAT,F) | - | | 5005 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4-MATF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2601(F) | - | | 8371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| 4N35(CORTO-LF1,F) | - | | 6362 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | 4N35 | - | 1 (illimitato) | 264-4N35(CORTO-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2761F(TP,F) | - | | 5383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2761F(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||
| TLP160G(TPL,U,F) | - | | 5638 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160G(TPLUF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(BL-LF7,F | - | | 7849 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(BL-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP385(GB-TPL,E | 0,5500 | | 6711 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP754(D4,F) | - | | 8939 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP754(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP785F(GRL-T7,F | - | | 8075 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GRL-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP120(GR-TP,F) | - | | 9211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP120 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP120(GR-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP705F(D4-TP,F) | - | | 8857 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP705F | Accoppiamento ottico | TUV, UR | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP705F(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 450mA | - | - | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 200ns, 200ns | - | 10 V~20 V | ||||||||||||||||||||
| TLP2631(MBS,F) | - | | 1475 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2631(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP183(Y,E | 0,5100 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(SI | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP385(D4BLLTL,E | 0,5500 | | 7135 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP185(TPL,SE | 0,6000 | | 9189 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP626(LF2,F) | - | | 7360 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP2761(LF4,E | - | | 6051 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2761(LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| TLP182(BL,E | 0,5700 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP182(BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP2301(TPL,E | 0,6000 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP2301 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | - | 40 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP385(BL,E | 0,5500 | | 6092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP626-2(F) | - | | 5043 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP626 | CA, CC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV |
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