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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP701H(D4-MBSTP,F | - |  | 8058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SDIP | scaricamento | 1 | 400 mA, 400 mA | 200mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 700ns, 700ns | 500ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||||||
| TLP5705H(LF4,E | 1.9900 | | 5551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||||||
 | TLP550(F) | - | | 6265 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP550 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 10% a 16 mA | - | 300ns, 1μs | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP781(YH-LF6,F) | - | | 5929 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(YH-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP385(D4-GRH,E | 0,5400 | | 5312 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-GRHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||
| TLP552(F) | - | | 7108 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP552 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP552(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2766A(TP,E | 1.6700 | | 7843 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2766 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 20 MBd | 5ns, 4ns | 1,8 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP182(E | 0,5700 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2630(TP1,F) | - | | 9395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP2630 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2630(TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2370(TPR,E | 1.7700 | | 1016 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2370 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1,5 V | 8mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||
| TLP750(NEMIC,F) | - | | 2996 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(NEMICF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP754(D4,F) | - | | 8939 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP754(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP250H(D4-TP1,F) | 1.7900 | | 7192 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP630(GB,F) | - | | 6307 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP630 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP121(GRH-TPL,F) | - | | 3273 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(GRH-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP3905(E | 1.8000 | | 22 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3905 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 30 µA (suggerimento) | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 300 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||||
| TLP265J(V4,E | 0,8400 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP265J(V4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 10mA | 20 µs | |||||||||||||||||||
| TLP183(Y,E | 0,5100 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(SI | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP293-4(V4LATPE | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785(D4-LF6,F | - | | 5826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP250(LF5,F) | - | | 6847 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP251(TP1,F) | - | | 8955 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -20°C~85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP251 | Accoppiamento ottico | UR | 1 | 8-SMD | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 100 mA, 100 mA | 400mA | - | 1,6 V | 20 mA | 2500 Vrm | 5 kV/μs | 1μs, 1μs | - | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP385(GB-TPL,E | 0,5500 | | 6711 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP620-4(D4-LF1,F) | - | | 1651 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD | TLP620 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | 264-TLP620-4(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| TLP2451(TP,F) | - | | 8881 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP2451 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2451(TPF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5214(TP,E | 8.1000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5214 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL | 1 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 32ns, 18ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP701A(F) | - | | 7993 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | cUL, UL | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP701AF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||
| TLP5231(D4-TP,E | 5.5100 | | 9931 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5231 | Accoppiamento ottico | CQC, cUL, UL, VDE | 2 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1A, 1A | 2,5 A | 50ns, 50ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 25 kV/μs | 300ns, 300ns | 150ns | 21 V~30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP5771(D4,E | 2.3800 | | 5395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5771 | Accoppiamento ottico | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP5771(D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||
 | TLP168J(TPR,U,C,F) | - | | 1634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP168 | UR | 1 | Triac | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,4 V | 20 mA | 2500 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 3mA | - |
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