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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2761(TP4,E | - |  | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2761 | CA, CC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2761(TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 15 MBd | 3ns, 3ns | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP266J(V4T7TR,E | 0,9300 | | 2986 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | |||||||||||||||||||||
 | TLP785F(Y-TP7,F | - | | 6359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2363(TPR,E | 1.0200 | | 7215 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2363 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | 10Mbps | 23ns, 7ns | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP293-4(4LGBTPE | 1.6300 | | 4797 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500 µA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP750(D4SHR-OT4,F | - | | 6109 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(D4SHR-OT4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2303(E | 0,8100 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2303 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 80 mA | - | 18 V | - | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 5 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
| TLP9118(ND2-TL,F) | - | | 9132 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9118(ND2-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2312(V4-TPL,E | 1.7100 | | 16 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2312 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2312(V4-TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| 4N35(CORTO-LF5,F) | - | | 1515 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | 4N35 | - | 1 (illimitato) | 264-4N35(CORTO-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP624-2(F) | - | | 3253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP624 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP181(GR,T) | - | | 1568 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP181 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP5771(TP,E | 2.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5771 | Accoppiamento ottico | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||
 | TLP385(GRH-TPL,E | 0,5600 | | 8469 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP785(GB-LF6,F | 0,6400 | | 79 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP785(GB-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP651(O,F) | - | | 4853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP651 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP651(OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | - | 300ns, 500ns | - | |||||||||||||||||||
| 6N137F | - | | 3245 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N137 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 1/0 | 200 V/μs, 500 V/μs (tip.) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| TLP190B(COSTPLUC,F | - | | 3149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP190 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | 264-TLP190B(COSTPLUCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12μA | - | 8 V | 1,4 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | 200 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP130(GB-TPR,F) | - | | 9661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP130 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP127TPRUF | - | | 7557 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP155E(TPL,E) | 1.0800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP155 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | 35ns, 15ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 170ns, 170ns | |||||||||||||||||||||
| TLP701F(ABB-TP,F) | - | | 6890 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | TUV, UR | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701F(ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600mA | - | - | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | ||||||||||||||||||||||
| TLP160G(T7-TPR,U,F | - | | 6615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160G(T7-TPRUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(F) | - | | 4532 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4-TP,E | 1.7900 | | 1944 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP292-4(LA,E | 1.7900 | | 5078 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLX9160T(TPL,F | 7.4200 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | DC | 1 | MOSFET | 16-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | - | - | 1,65 V | 30 mA | 5000 Vrm | - | - | 1 ms, 1 ms (massimo) | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP785F(D4-BLL,F | - | | 7615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4-BLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP331(BV-LF1,F) | - | | 6076 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP331(BV-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(GR-LF2,F) | - | | 5089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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