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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP250H(LF5,F) | - |  | 2930 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP250H(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | |||||||||||||
 | TLP2366(V4,E | 1.5100 | | 8094 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2366 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,61 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||
| TLP2362(V4-TPL,E | 1.0500 | | 9559 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | - | - | TLP2362 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||
| TLP531(HIT-BL-T1,F | - | | 3100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(HIT-BL-T1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2630(MAT,F) | - | | 8093 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2630 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2630(MATF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293-4(LGBTR,E | 1.6300 | | 8340 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500 µA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLX9185(KBDGBTLF(O | - | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185(KBDGBTLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 20% a 5 mA | 600% a 5 mA | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP250F(D4INV-T4,F | - | | 4814 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250F(D4INV-T4FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9104A(NCN-TL,F) | - | | 1211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9104A(NCN-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293-4(V4LATRE | 1.6400 | | 6745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP5751H(D4LF4,E | 1.8500 | | 6114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5751 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||||||||||||
| TLP121(Y,F) | - | | 5341 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||
 | TLP385(D4BLLTL,E | 0,5500 | | 7135 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP700A(TP,6) | - | | 6219 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP700 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP700A(TP6)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2301(TPL,E | 0,6000 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP2301 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | - | 40 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | - | 300mV | |||||||||||||
 | TLP785(GB,F) | 0,6400 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
| TLP185(GB,E) | - | | 5085 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP182(GR-TPL,E | 0,5200 | | 4529 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP161J(IFT5,U,C,F | - | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(IFT5UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2362(E) | 1.0500 | | 1673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2362 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 mA | 10 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||
| TLP627-2(D4,F) | - | | 6591 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP627-2(D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP155E(E) | - | | 3395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP155 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 35ns, 15ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 170ns, 170ns | ||||||||||||||
| TLP385(GR-TPL,E | 0,5600 | | 1320 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP785F(BLL-T7,F | - | | 7721 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(BLL-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
| TLP160G(T5-TPR,U,F | - | | 5053 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160G(T5-TPRUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291(E) | - | | 1657 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 4μs, 7μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 7μs, 7μs | 300mV | |||||||||||||
| TLP137(BV-TPL,F) | - | | 1862 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP137 | DC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP137(BV-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 8μs, 8μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||
 | TLP250H(D4-TP1,F) | 1.7900 | | 7192 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | |||||||||||||
| TLP121(GB-TPL,F) | - | | 2862 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(GB-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||
| TLP701HF(D4-TP,F) | - | | 2825 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SDIP | scaricamento | 1 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 700ns, 700ns | 500ns | 10 V~30 V |
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