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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente: uscita alta, bassa Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Corrente - Uscita di picco Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) Tensione - Alimentazione in uscita Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima)
TLP701H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H(D4-MBSTP,F -
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 ECAD 8058 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Acquisto per l'ultima volta -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) Accoppiamento ottico CSA, cUL, UL, VDE 2 6-SDIP scaricamento 1 400 mA, 400 mA 200mA 50ns, 50ns 1,57 V 25 mA 5000 Vrm 20kV/μs 700ns, 700ns 500ns 10 V~30 V
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB,E 0,7900
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 ECAD 8875 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 350 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(J,F) -
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 ECAD 5085 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP759(JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - 200ns, 300ns -
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4BLT7,F -
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 ECAD 5763 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(D4BLT7FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GR-TP,F) -
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 ECAD 9211 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP120 CA, CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP120(GR-TPF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(TPL,U,C,F) -
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 ECAD 9293 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP191 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivazioni scaricamento 264-TLP191B(TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 - - 8 V 1,4 V 50 mA 2500 Vrm - - 200 µs, 3 ms -
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(TPL,E 1.4100
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 ECAD 4087 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2304 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 15 mA 1 MBd - 1,55 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(D4TP4,E 1.8300
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 ECAD 8950 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5702 DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 200ns, 200ns
TLP383(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(BL-TPL,E -
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 ECAD 3367 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP383(BL-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BLL-F7,F -
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 ECAD 3316 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(D4-TP,F) -
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 ECAD 7485 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) DC 1 Transistor 6-SDIP Ala di gabbiano - 264-TLP719(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - 800ns, 800ns (massimo) -
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-IGM,J,F) -
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 ECAD 1741 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 25% a 10 mA 75% a 10 mA - -
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y-LF7,F -
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 ECAD 9772 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4-Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(D4BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4BLL-LF6,F -
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 ECAD 7971 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(D4BLL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(HIT-BL-L1,F -
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 ECAD 5237 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (illimitato) 264-TLP532(HIT-BL-L1F EAR99 8541.49.8000 50
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(D4C20TPE 3.3300
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP3910 DC 2 Fotovoltaico 6-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 - - 24 V 3,3 V 30 mA 5000 Vrm - - 300 µs, 100 µs -
TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPR,E 0,4841
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 ECAD 1284 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2366 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 mA 20 MBd 15ns, 15ns 1,61 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP2105(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2105(TP,F) 1.5759
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 ECAD 6457 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) TLP2105 DC 2 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 8-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2105(TPF) EAR99 8541.49.8000 2.500 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 Vrm 2/0 10 kV/μs 250ns, 250ns
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N36(CORTO,F) -
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 ECAD 2266 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA - 3μs, 3μs 300mV
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4FUNBLL,F -
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 ECAD 3703 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4FUNBLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5774(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774(D4,E 2.5200
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 ECAD 5005 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5774 Accoppiamento ottico CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP5774(D4E EAR99 8541.49.8000 125 1,2 A, 1,2 A 4A 15ns, 8ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 35 kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10 V~30 V
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL-TPL,F) -
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 ECAD 1068 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP121(BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GB-LF7,F) -
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 ECAD 3093 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(GB-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF5,F) -
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 ECAD 2264 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP626 CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 264-TLP626(LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8μs, 8μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
TLP5222(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222(TP,E 7.0100
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 ECAD 1301 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5222 Accoppiamento ottico CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 16-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 2A, 2A 2,5 A 58ns, 57ns 1,67 V 25 mA 5000 Vrm 25 kV/μs 250ns, 250ns 50ns 15 V~30 V
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4DLTGRL,F -
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 ECAD 4669 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4DLTGRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281(GB-TP,F) -
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 ECAD 2615 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) TLP281 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR-LF1,F) -
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 ECAD 7867 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (illimitato) 264-TLP531(GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4TEIGF2J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4TEIGF2J,F -
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 ECAD 2055 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4TEIGF2JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20 V 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B(C,F) 3.2100
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori TLP591 DC 1 Fotovoltaico 6-DIP, 5 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 24μA - 7V 1,4 V 50 mA 2500 Vrm - - 200 µs, 3 ms -
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

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    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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