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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora Grado Qualificazione
5962-0824203KEA Broadcom Limited 5962-0824203KEA 586.6886
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ECAD 1258 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) 5962-0824203 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 3,6 V 16-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 20ns, 8ns 1,55 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
TIL923 Texas Instruments TIL923 0,2300
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ECAD 6 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 1
VOT8123AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division VOT8123AB-VT2 0,4124
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ECAD 4043 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano VOT8123 CQC, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 751-VOT8123AB-VT2TR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 800 V 100 mA 400μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
FODM217D onsemi FODM217D 0,6400
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ECAD 2 0.00000000 onsemi FODM217 Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM217 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
EL817(A)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817(A)-V 0.2030
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ECAD 8220 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) EL817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C110000586 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
FODM121CR2 onsemi FODM121CR2 0,7700
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ECAD 2995 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(D4-TP,F) -
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ECAD 4795 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP2768 DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP2768F(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,55 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
SFH601-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2 1.3400
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ECAD 546 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) SFH601 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 2μs 100 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
EL817(C)-F Everlight Electronics Co Ltd EL817(C)-F 0,1920
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ECAD 1733 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL817 Massa Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP - 1080-EL817(C)-F EAR99 8541.41.0000 100 50mA 18μs, 18μs 35 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
H11B1VM onsemi H11B1VM 1.0800
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11B1 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
TIL187-4 Texas Instruments TIL187-4 -
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ECAD 1773 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 190
8102801EC Broadcom Limited 8102801EC 97.4067
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ECAD 7341 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) 8102801 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 16-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 35ns, 35ns 1,55 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
ELT3041 Everlight Electronics Co Ltd ELT3041 0,5524
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ECAD 1648 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) ELT304 cUL, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Triac 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C140000176 EAR99 8541.49.8000 100 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 400 V 280 µA (sugger.) 1kV/μs 15 mA -
PC456L0NIP0F Sharp Microelectronics PC456L0NIP0F -
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ECAD 1865 0.00000000 Microelettronica Sharp OPIC™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori DC 1 Collettore aperto 4,5 V~35 V 5-MFP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 15 mA 2Mbps - 1,6 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 550ns, 400ns
OPIA800DTU TT Electronics/Optek Technology OPIA800DTU -
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ECAD 1285 0.00000000 Tecnologia TT Electronics/Optek - Tubo Obsoleto -40°C ~ 115°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 365-1462 EAR99 8541.49.8000 48 60mA - 7V 1,5 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA - 2μs, 7μs -
SFH6720-X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6720-X001T -
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ECAD 2737 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SFH6720 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~15 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 5 MBd 40ns, 10ns 1,6 V 10mA 4000 Vrm 1/0 1kV/μs 300ns, 300ns
TCMT1107 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1107 0,6200
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ECAD 82 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) TCMT1107 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5,5 µs, 7 µs 70 V 1,35 V 60 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA 9,5 µs, 8,5 µs 300mV
4N38VM Fairchild Semiconductor 4N38VM 1.0000
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ECAD 8050 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 100mA - 80 V 1,15 V 80 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 5μs, 5μs 1 V
EL1012(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1012(TB) -
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ECAD 1755 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL1012 DC 1 Transistor 4-SOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,45 V 60 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 4μs, 3μs 300mV
PS9303L2-V-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS9303L2-V-E3-AX 4.5400
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ECAD 7745 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) PS9303 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 25 mA 1Mbps 120ns, 90ns 1,6 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 500ns, 550ns
HCPL-7723 Broadcom Limited HCPL-7723 5.2078
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ECAD 5181 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-7723 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 50 MBd 8ns, 6ns - - 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 22ns, 22ns
6N134TXVB Broadcom Limited 6N134TXVB 143.2812
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ECAD 1917 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N134 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 16-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 35ns, 35ns 1,55 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
CNY117-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-1X006 0,3026
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ECAD 5180 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY117 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
HCPL-817-50CE Broadcom Limited HCPL-817-50CE 0,5400
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ECAD 8471 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HCPL-817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
ACPL-M75N-000E Broadcom Limited ACPL-M75N-000E 3.0900
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ECAD 1797 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori ACPL-M75N DC 1 Aprire lo scarico 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 5-SO scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 516-ACPL-M75N-000E EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 15 MBd 6ns, 5ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 30 kV/μs 55ns, 55ns
EL816(S1)(D)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816(S1)(D)(TA)-V -
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ECAD 8115 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
ACPL-M61T-000E Broadcom Limited ACPL-M61T-000E 5.6200
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ECAD 436 0.00000000 Broadcom limitata R²Coupler™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori ACPL-M61 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 4000 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns Automobilistico AEC-Q100
TLP191B(MBSTPL,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(MBSTPL,C,F -
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ECAD 3298 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano DC Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivazioni scaricamento 264-TLP191B(MBSTPLCF EAR99 8541.49.8000 1 24μA - 8 V 1,4 V 50 mA 2500 Vrm - - 200 µs, 3 ms -
PC81710NIP1H Sharp Microelectronics PC81710NIP1H -
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ECAD 8576 0.00000000 Microelettronica Sharp - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 10 mA 5000 Vrm - - - 200mV
NTE3095 NTE Electronics, Inc NTE3095 14.0000
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ECAD 156 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Borsa Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 2368-NTE3095 EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 15 V 1,66 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA - 300ns, 200ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock