SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HCPL-2601#300 Broadcom Limited HCPL-2601#300 1.5196
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ECAD 5858 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2601 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 516-1077-5 EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 100ns, 100ns
OPI1280-018 TT Electronics/Optek Technology OPI1280-018 6.5670
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ECAD 3176 0.00000000 Tecnologia TT Electronics/Optek - Massa Attivo -20°C~75°C Foro passante Non standard, 4 derivazioni OPI1280 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 - - 33V 2,3 V (massimo) - - - - -
MOC8102X Isocom Components 2004 LTD MOC8102X 0,6200
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ECAD 6503 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC8102 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 65 50mA 2μs, 2μs 30 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA - 400mV
SFH615A-2XSM Isocom Components 2004 LTD SFH615A-2XSM 0,6400
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ECAD 920 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH615 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 14μs 70 V 1,65 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 4,2 µs, 23 µs 400mV
TLP2662(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662(D4-TP1,F) 1.8800
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ECAD 5134 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2662 DC 2 Collettore aperto 2,7 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.49.8000 1.500 25 mA 10 MBd 12ns, 3ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 2/0 20kV/μs 75ns, 75ns
TCMT1102 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1102 0,6300
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ECAD 78 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) TCMT1102 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5,5 µs, 7 µs 70 V 1,35 V 60 mA 3750 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 9,5 µs, 8,5 µs 300mV
HCPL-4731-320E Broadcom Limited HCPL-4731-320E 3.4466
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ECAD 6908 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4731 DC 2 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 18 V 1,25 V 10 mA 5000 Vrm 600% a 500μA 8000% a 500μA 3μs, 34μs -
PS8501L2-E3-AX CEL PS8501L2-E3-AX -
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ECAD 5138 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 35 V 1,7 V 25 mA 5000 Vrm 15% a 16 mA - 220ns, 350ns -
PS2565-1-V CEL PS2565-1-V -
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ECAD 4220 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
HCPL-6231 Broadcom Limited HCPL-6231 213.4889
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ECAD 6061 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 20-CLCC HCPL-6231 DC 2 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 20-LCCC (8,89x8,89) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 5 MBd 45ns, 10ns 1,3 V 8 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 350ns, 350ns
FOD785DSD onsemi FOD785DSD 0,1760
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ECAD 4204 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-PDIP-GW scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-FOD785DSDTR EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 18μs, 18μs (massimo) 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
4N25VM onsemi 4N25VM 0,7200
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ECAD 13 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N25 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MOC3022 onsemi MOC3022 -
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ECAD 1231 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3022QT EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5300 Vrm 400 V 100μA NO 10mA
H11B8153S onsemi H11B8153S -
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ECAD 9253 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B8153S-NDR EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 300 µs, 250 µs (massimo) 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
TLP131(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(F) -
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ECAD 6869 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP131 DC 1 Transistor con base 6-MFSOP, 5 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP131F EAR99 8541.49.8000 150 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
HCPL0531R1 onsemi HCPL0531R1 -
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ECAD 9874 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL05 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
4N32300 onsemi 4N32300 -
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ECAD 2115 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N32 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N32300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
HCNR200-000E Broadcom Limited HCNR200-000E 4.8100
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ECAD 1 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCNR200 DC 1 Fotovoltaico, Linearizzato 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 42 - - - 1,6 V 25 mA 5000 Vrm 0,25% a 10 mA 0,75% a 10 mA - -
FODM3022R4_NF098 onsemi FODM3022R4_NF098 -
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ECAD 3214 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
PS2703-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2703-1-F3-LA -
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ECAD 7342 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2703 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1445-2 EAR99 8541.49.8000 3.500 30mA 10μs, 10μs 120 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
CNY171300 onsemi CNY171300 -
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ECAD 1430 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY171 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
SL5583W onsemi SL5583W -
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ECAD 8628 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5583 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5583W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 320% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
VO2601-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO2601-X006 0,7793
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ECAD 2304 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) VO2601 DC 1 Aprire lo scarico 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50 mA 10 MBd 23ns, 7ns 1,4 V 20 mA 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
PVI5033RS-T Infineon Technologies PVI5033RS-T -
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ECAD 2522 0.00000000 Tecnologie Infineon PVI Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano PVI5033 DC 2 Fotovoltaico 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 4 (72 ore) REACH Inalterato *PVI5033RS-T EAR99 8541.49.8000 750 5μA - 10 V - 40 mA 3750 Vrm - - 2,5 ms, 500 µs (massimo) -
PS2802-1-F3-A CEL PS2802-1-F3-A -
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ECAD 1024 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Darlington 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.500 90 mA 200 µs, 200 µs 40 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 200% a 1 mA - - 1 V
MOC8107 onsemi MOC8107 -
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ECAD 9682 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8107-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
H11C4SD onsemi H11C4SD -
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ECAD 6389 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C4SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA - NO 500 V/μs 20 mA -
MOC3020 Lite-On Inc. MOC3020 0,6200
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ECAD 2 0.00000000 Lite-On Inc. MOC302x Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 CQC, CSA, TUV, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 160-1372-5 EAR99 8541.49.8000 65 1,15 V 50 mA 5000 Vrm 400 V 250 µA (sugger.) NO 1kV/μs 30mA -
PS2501-4-A CEL PS2501-4-A -
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ECAD 6919 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) PS2501 DC 4 Transistor 16-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 20 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
PS2702-1-F3-K-A Renesas Electronics America Inc PS2702-1-F3-KA -
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ECAD 8942 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2702 DC 1 Darlington 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1438-2 EAR99 8541.49.8000 3.500 200mA 200 µs, 200 µs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 2000% a 1 mA - - 1 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock