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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO0630T | 3.2800 |  | 130 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | VO0630 | DC | 2 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,4 V | 15 mA | 4000 Vrm | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | PS2501AL-1-WA | - | | 2621 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | 140817144300 | 0,2900 | | 3 | 0.00000000 | Würth Elettronica | WL-OCPT | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-DIP-SLM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 3μs, 4μs | 35 V | 1,24 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | TLP2468(F) | - | | 5641 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2468 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2468F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,57 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | FOD817A | 0,5100 | | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | EL814S(TB) | - | | 3549 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 7μs, 11μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | HCPL2730 | - | | 5657 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-HCPL2730-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2766F(F) | - | | 5909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP2766 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2766F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||
| TLP531(BL-LF2,F) | - | | 4859 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(BL-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP121(BL-TPL,F) | - | | 1068 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(BL-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCPL-2531-300E | 3.1600 | | 7 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2531 | DC | 2 | Transistor | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
| EL816(S1)(X)(TA) | - | | 6776 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | MOC215-M | 0,2200 | | 1995 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.257 | 150mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | 20% a 1 mA | - | 4μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | LIA130 | - | | 7706 | 0.00000000 | Divisione Circuiti Integrati IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | - | 70 V | 1,4 V (massimo) | 20 mA | 3750 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 500mV | ||||||||||||||||
 | MOC216 | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | - | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL3032S(TA) | - | | 7211 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3032 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903320004 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
| VO4254M-X007T | - | | 8223 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4254 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300 mA | - | NO | 5 kV/μs | 3mA | - | ||||||||||||||||
| PC81713NSZ1H | - | | 5501 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | - | - | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | TLP267J(TPL,E | 0,9900 | | 1432 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP267 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 200μA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 3mA | 100 µs | ||||||||||||||||
 | H11AG3300W | - | | 2637 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AG3300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 20% a 1 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOC3061TM | 0,4700 | | 101 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC306 | UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 15 mA | - | ||||||||||||||||||
| EL3032S1(TB)-V | - | | 6405 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3032 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903320015 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
| OR-MOC3052(L)S-TA1 | 0,5600 | | 1188 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 200μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||||||
| VOT8125AD-V | 1.2500 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | VOT8125 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
 | TLP2391(E | 1.3000 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2391 | CA, CC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 10 MBd | 3ns, 3ns | 1,55 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
| 5962-0824202KPC | 616.0314 | | 8930 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-0824202 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| TLP785(D4-GB,F | - | | 1379 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4-GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP531(GR-LF1,F) | - | | 7867 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(GR-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CNW11AV1SD | - | | 6438 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNW11 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 70 V | - | 100 mA | 4000 Vrm | 100% a 10 mA | 300% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2561AL-1-WA | - | | 9868 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV |
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