- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Optoisolatori(1738)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP731(D4-BL-TP1,F | - |  | 7743 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-BL-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP108(F) | - | | 7760 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP108 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991 | 8541.49.8000 | 150 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
 | TLP5701(E | 1.2600 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5701 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||
| TLP785(Y-LF6,F | - | | 6945 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(Y-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP731(GB-LF1,F) | - | | 7795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(GB-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2366(TPL,E | 1.4000 | | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2366 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,61 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
| TLP188(GB-TPL,E | 0,8300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP290(GB,SE | 0,5100 | | 2539 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 4μs, 7μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 7μs, 7μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP160J(V4T7TLUC,F | - | | 6563 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160J(V4T7TLUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(F) | - | | 6116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP182(BL,E | 0,5700 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP182(BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
 | TLP748J(F) | 1.8600 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP748 | BSI, SEMKO, UR | 1 | SCR | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 4000 Vrm | 600 V | 150 mA | 1mA | NO | 5 V/μs | 10mA | 15 µs | |||||||||||||||
| TLP3065(S,C,F) | - | | 6195 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | TLP3065 | - | - | - | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3065(SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | TLP2531(F) | - | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2531 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||
| TLP185(TPR,SE | 0,1530 | | 1778 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP701H(TP,F) | 0,5373 | | 4868 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SDIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP701H(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 700ns, 700ns | ||||||||||||||
| TLP185(GB,E) | - | | 5085 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP183(E | 0,5100 | | 103 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP385(D4-GRH,E | 0,5400 | | 5312 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-GRHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP2631(MBS,F) | - | | 1475 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2631(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GR-TR,E | 0,5600 | | 3080 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP292(GR-TPL,E | 0,5600 | | 2009 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP5702H(LF4,E | 1.8500 | | 6302 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,65 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||
 | TLP292-4(4LGBTRE | 1.7900 | | 8134 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP626(LF5,F) | - | | 2264 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP620-4(D4-LF1,F) | - | | 1651 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD | TLP620 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | 264-TLP620-4(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP124(TPR,F) | - | | 5563 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP124 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 8μs, 8μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP182(Y-TPL,E | 0,5500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP781F(D4-GR-SD,F | - | | 2574 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-GR-SDF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP734F(D4GRLF4,MF | - | | 8383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734F(D4GRLF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)