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Optoisolatori(1738)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima)
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4BLT7,F -
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 ECAD 5763 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(D4BLT7FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP161G(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(T7TR,U,C,F -
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 ECAD 7059 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (illimitato) 264-TLP161G(T7TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GR,F) -
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 ECAD 2093 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP631 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(YASK,F) -
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 ECAD 8282 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) CA, CC 2 Transistor 8-DIP scaricamento 264-TLP620-2(YASKF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y-LF6,F) -
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 ECAD 7916 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TP1,F) -
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 ECAD 8249 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP2531 DC 2 Transistor con base 8-SMD scaricamento 264-TLP2531(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 15 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 30% a 16 mA 200ns, 300ns -
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TOSYK,F) -
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 ECAD 2768 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 2 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP2531(TOSYKF) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 15 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA - - -
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GB-F6,F -
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 ECAD 5280 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(D4GB-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2261(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(LF4,E 3.0200
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 ECAD 8964 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2261 DC 2 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP2261(LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10 mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5 V 10mA 5000 Vrm 2/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP781F(D4GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR-TP7,F -
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 ECAD 9870 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4GR-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP160G(OMT7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(OMT7,F) -
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 ECAD 4295 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (illimitato) 264-TLP160G(OMT7F)TR EAR99 8541.49.8000 150
TLP2768F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(F) -
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 ECAD 7185 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento 264-TLP2768F(F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,55 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(LF2,F) -
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 ECAD 1632 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP371 - 1 (illimitato) 264-TLP371(LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(TPR,E 1.0200
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 ECAD 7338 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP187 DC 1 Darlington 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4TELS-T6,F -
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 ECAD 5195 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(D4TELS-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLX9185(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(OGI-TL,F(O -
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 ECAD 4186 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Obsoleto - 264-TLX9185(OGI-TLF(O EAR99 8541.49.8000 1
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRL-LF6,F -
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 ECAD 8041 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(D4GRL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP161J(V4-U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(V4-U,C,F) -
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 ECAD 3578 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (illimitato) 264-TLP161J(V4-UCF)TR EAR99 8541.49.8000 150
TLP781(D4GRH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRH-TP6,F -
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 ECAD 5325 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(D4GRH-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP733(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(D4-GB,M,F) -
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 ECAD 2075 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (illimitato) 264-TLP733(D4-GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2735(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735(D4,E 1.8300
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 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP2735 DC 1 Push-pull, totem 9 V~15 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 20 mA 10Mbps -, 4ns 1,61 V 15 mA 5000 Vrm 1/0 25 kV/μs 100ns, 100ns
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4TP4,E 1.9900
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 ECAD 8441 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 200ns, 200ns
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(TPL,F 7.4200
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) DC 1 MOSFET 16-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 - - - 1,65 V 30 mA 5000 Vrm - - 1 ms, 1 ms (massimo) -
TLP550(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(HITACHI,F) -
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 ECAD 9304 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (illimitato) 264-TLP550(HITACHIF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB,E) -
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 ECAD 3061 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO scaricamento EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118(MBHA-TL,F) -
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 ECAD 4507 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Obsoleto - 264-TLP9118(MBHA-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(LF5,F) -
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 ECAD 2022 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP631 - 1 (illimitato) 264-TLP631(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP550(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(PP,F) -
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 ECAD 9422 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (illimitato) 264-TLP550(PPF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172,F) -
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 ECAD 4589 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP734 DC 1 Transistor 6-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP734(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 4000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(Y,F) -
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 ECAD 2810 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (illimitato) 264-TLP632(YF) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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