- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Optoisolatori(1738)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP185(V4GRTR,SE | 0,5900 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||
 | TLP383(BL-TPL,E | - | | 3367 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP383(BL-TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||
| TLP2958(D4-MBT1,F) | - | | 1956 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2958 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2958(D4-MBT1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||
| TLP9114B(PED-TL,F) | - | | 8768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9114B(PED-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5772(TP,E | 2.4000 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5772 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | ||||||||
| TLP631(GB-LF1,F) | - | | 9501 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP631(GB-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP2766(D4-TP,F) | - | | 7722 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP2766 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP2766(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 55ns, 55ns | ||||||||
| TLP627MF(E | 0,9000 | | 89 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP627MF(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | |||||||
| TLP628M(LF5,E | 0,9100 | | 9981 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP628M(LF5E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 10μs, 10μs | 400mV | |||||||
| TLP127(T-TPR,F) | - | | 8429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(TEE-TPRF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | |||||||
| TLP5772H(E | 2.4900 | | 2448 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5772 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5772H(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 56ns, 25ns | 1,4 V | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | ||||||||
| TLP160G(T5-TPL,U,F | - | | 6220 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160G(T5-TPLUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4TEIGF2J,F | - | | 2055 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4TEIGF2JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||
| TLP734(M,F) | - | | 1483 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734(MF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP626(SANYD,F) | - | | 1971 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(SANYDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||
| TLP512(HITACHI,F) | - | | 4572 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(HITACHIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP785(LF6,F | - | | 7433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||
| TLP358(TP5,F) | - | | 9877 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP358 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP358(TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5,5 A | - | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 500ns, 500ns | ||||||||
| TLP781F(GRH,F) | - | | 8682 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||
| TLP734F(D4-GRL,M,F | - | | 4173 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734F(D4-GRLMF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP2270(D4-LF4,E | 3.0900 | | 4731 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP2270 | CA, CC | 2 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 mA | 20 MBd | 1,3 ns, 1 ns | 1,5 V | 8 mA | 5000 Vrm | 2/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||
| TLP9118(ND2-TL,F) | - | | 9132 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9118(ND2-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP2370(TPR,E | 1.7700 | | 1016 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2370 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1,5 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||
| TLP719(D4FA-TPS,F) | - | | 7188 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | 264-TLP719(D4FA-TPSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | |||||||||
| TLP188(GB,E | 0,8300 | | 4747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||
 | TLP291(GRH-TP,SE | 0,5900 | | 9517 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||
 | TLP781F(GRL-TP7,F) | - | | 2158 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GRL-TP7F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||
| TLP624-2(LF5,F) | - | | 2717 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP624-2(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP781(DLT-HR,F) | - | | 9568 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(DLT-HRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||
| TLP2370(E | 1.7900 | | 5671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2370 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2370(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1,5 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)