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NDQ46PFP-7XETTR	-	Richiesta di offerta	3418	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-7XETTR	OBSOLETO		2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NSEC53T032-AT	28.1250	Richiesta di offerta	3064	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC53T032-AT			152	200 MHz	Non volatile	256Gbit		FLASH	32G x 8	eMMC_5.1	-
NDB26PFC-5EET	6.7978	Richiesta di offerta	2003	Insignis Technology Corporation	NDB2	Vassoio	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDB26PFC-5EET			209	533 MHz	Volatile	2Gbit		DRAM	128Mx16	SSTL_18	-
NDS66PT5-16ATTR	1.8898	Richiesta di offerta	6327	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS66PT5-16ATTR			1.000
NDS66PT5-16ITTR	2.3800	Richiesta di offerta	6	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDS66PT5	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	1.000	166 MHz	Volatile	64Mbit		DRAM	4Mx16	Parallelo	-
NDS38PT5-16IT	2.7110	Richiesta di offerta	4444	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS38PT5-16IT			108
NDL46PFP-8KIT	9.0000	Richiesta di offerta	1457	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-				1982-NDL46PFP-8KIT			2.500	800 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	256Mx16	Parallelo	15ns
NSEC00K004-IT	22.8200	Richiesta di offerta	270	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA	NSEC00	FLASH NAND (MLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1982-1025	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	Non volatile	32Gbit		FLASH	4G×8	eMMC	-
NDS66PT5-20IT	1.6207	Richiesta di offerta	9240	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-				1982-NDS66PT5-20IT			1.000	200 MHz	Volatile	64Mbit	4,5 ns	DRAM	4Mx16	LVTTL	-
NDS76PBA-16ET	1.9158	Richiesta di offerta	5332	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-16ET			348
NDS66PT5-20AT	1.8898	Richiesta di offerta	5619	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS66PT5-20AT			108
NDL28PFR-9MET	6.6000	Richiesta di offerta	3224	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1982-NDL28PFR-9MET	EAR99	8542.32.0036	210	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDS73PT9-16ITTR	3.7224	Richiesta di offerta	7969	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDS73PT9	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	86-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	1.000	166 MHz	Volatile	128Mbit		DRAM	4Mx32	Parallelo	-
NDL26PFJ-8KETTR	-	Richiesta di offerta	3635	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	NDL26	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDL26PFJ-8KETTR	OBSOLETO		2.000	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
NDQ48PFQ-8NET	8.2500	Richiesta di offerta	9721	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDQ48PFQ-8NET			2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	512Mx8	POD	15ns
NDL86PFG-9MIT TR	19.7505	Richiesta di offerta	9953	Insignis Technology Corporation	NDL86P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL86PFG-9MITTR			2.000	933 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
NLQ43PFS-8NET	10.3075	Richiesta di offerta	6872	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ43PFS-8NET			136	1,2GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx32	LVSTL	18ns
NDS63PT9-16ET	3.0982	Richiesta di offerta	8259	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS63PT9-16ET			108
NDS73PT9-20ET TR	3.4276	Richiesta di offerta	2654	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	86-TSOP II	-				1982-NDS73PT9-20ETTR			1.000	200 MHz	Volatile	128Mbit		DRAM	4Mx32	LVTTL	-
NSEC53T064-IT	58.5000	Richiesta di offerta	5359	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53T064-IT			1.520	200 MHz	Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	eMMC_5.1	-
NDQ48PFQ-8XET TR	8.2500	Richiesta di offerta	2649	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDQ48PFQ-8XETTR			2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit		DRAM	512Mx8	Parallelo	-
NSEC53K002-ITJ	15.0000	Richiesta di offerta	6961	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-25°C~85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (pSLC)	3,3 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53K002-ITJ			1.520	200 MHz	Non volatile	16Gbit		FLASH	2G×8	eMMC_5	-
NDQ46PFP-7XIT TR	-	Richiesta di offerta	2273	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-7XITTR	OBSOLETO		2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NLQ83PFS-8NATTR	31.1400	Richiesta di offerta	7377	Insignis Technology Corporation	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,2GHz	Volatile	8Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx32	LVSTL	18ns
NDL28PFH-8KET TR	-	Richiesta di offerta	9712	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	-				1982-NDL28PFH-8KETTR	OBSOLETO		2.000	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NLQ46PFS-8NET TR	14.7500	Richiesta di offerta	5052	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,2GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx16	LVSTL	18ns
NSEC53K004-IT	17.4400	Richiesta di offerta	259	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA	NSEC53	FLASH NAND (MLC)	3,3 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	4Gbit		FLASH	512Mx8	eMMC	-
NLQ43PFS-6NAT	12.7287	Richiesta di offerta	7276	Insignis Technology Corporation	Automobilistico, AEC-Q100	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ43PFS-6NAT			136	1,6GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx32	LVSTL	18ns
NDQ46PFP-8XITTR	-	Richiesta di offerta	7478	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8XITTR	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDB18PFB-4DIT	3.8250	Richiesta di offerta	5030	Insignis Technology Corporation	NDB1L	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	60-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	60-FBGA (8x10)	-				1982-NDB18PFB-4DIT			2.000	400 MHz	Volatile	1 Gbit	450 CV	DRAM	128Mx8	SSTL_18	15ns