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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDL26PFI-9MET TR | 6.6986 | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1982-NDL26PFI-9METTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
![]() | NDQ46PFI-7NET | 8.2500 | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | 1982-NDQ46PFI-7NET | 1.500 | 1.333GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | |||||||
![]() | NLQ83PFS-6NAT | 21.6750 | ![]() | 6939 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | - | 1982-NLQ83PFS-6NAT | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256Mx32 | LVSTL | 18ns | |||||||
![]() | NLQ83PFS-6NET TR | 24.5100 | ![]() | 6862 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256Mx32 | LVSTL | 18ns | ||||||
![]() | NDL46PFP-9MIT | 12.2500 | ![]() | 660 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | NDL46 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1982-NDL46PFP-9MIT | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |
![]() | NDS76PT5-16AT TR | 2.6335 | ![]() | 4158 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS76PT5-16ATTR | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NDL48PFQ-9MET | 8.1000 | ![]() | 4257 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,6) | - | 1982-NDL48PFQ-9MET | 2.500 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||||||
![]() | NDS66PT5-20ET | 1.6354 | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS66PT5-20ET | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 64Mbit | DRAM | 4Mx16 | LVTTL | - | ||||||||
![]() | NLQ26PFS-8NAT | 8.8663 | ![]() | 7230 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NLQ26PFS-8NAT | 136 | 1,2GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | NDL28PFR-9MIT | 6.7500 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | NDL28 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,5) | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1982-NDL28PFR-9MIT | EAR99 | 8542.32.0036 | 210 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
![]() | NDQ46PFI-6NITTR | 9.0000 | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | 1982-NDQ46PFI-6NITTR | 1.500 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | |||||||
![]() | NDB18PFB-4DIT TR | 3.8250 | ![]() | 9402 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB1L | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | - | 1982-NDB18PFB-4DITTR | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 1 Gbit | 450 CV | DRAM | 128Mx8 | SSTL_18 | 15ns | |||||||
![]() | NLQ83PFS-6NET | 17.8885 | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NLQ83PFS-6NET | 136 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256Mx32 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | NLQ26PFS-8NAT TR | 12.4700 | ![]() | 5179 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 2.000 | 1,2GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | ||||||
![]() | NDL26PFI-9MITTR | 6.6986 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1982-NDL26PFI-9MITTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
![]() | NDQ46PFP-7XET | - | ![]() | 9887 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7XET | OBSOLETO | 2.500 | 1.333GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | ||||||
![]() | NDS36PT5-16IT | 2.7110 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS36P | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS36PT5-16IT | 108 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5 nn | DRAM | 16Mx16 | LVTTL | 12ns | |||||
![]() | NDL28PFR-8KIT | - | ![]() | 6555 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | NDL28 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,5) | - | REACH Inalterato | 1982-NDL28PFR-8KIT | EAR99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
![]() | NDS73PBE-20ET TR | 3.2952 | ![]() | 9457 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS73PBE-20ETTR | 2.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NDS66PT5-16IT | 1.5749 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS66P | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS66PT5-16IT | 108 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | LVTTL | - | |||||
![]() | NLQ83PFS-8NIT | 21.6750 | ![]() | 3894 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | - | 1982-NLQ83PFS-8NIT | 2.000 | 1,2GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 256Mx32 | LVSTL | - | ||||||||
![]() | NDS38PT5-16ITTR | 2.7110 | ![]() | 1907 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS38PT5-16ITTR | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NDS73PT9-20AT | 3.9768 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS73PT9-20AT | 108 | |||||||||||||||||||
![]() | NDB56PFC-4DITTR | 2.4448 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB5 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | - | 1982-NDB56PFC-4DITTR | 2.500 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | SSTL_18 | 15ns | |||||||
![]() | NDL26PFG-9MITR | - | ![]() | 6170 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | NDL26 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
![]() | NDL46PFP-9MITTR | 9.0000 | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 1982-NDL46PFP-9MITTR | 2.500 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||||
![]() | NDS36PBA-20ET | 3.1667 | ![]() | 9471 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS36PBA-20ET | 348 | |||||||||||||||||||
![]() | NDT18PFH-8KITTR | - | ![]() | 2628 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | NDT18 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 800 MHz | Volatile | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
![]() | NDQ46PFP-7NET | - | ![]() | 2479 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 1982-NDQ46PFP-7NET | OBSOLETO | 2.500 | 1.333GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | ||||||
![]() | NSEC00K016-IT | 29.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 100 LBGA | NSEC00 | FLASH NAND (MLC) | 3,3 V | 100 BGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1982-1027 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC | - |

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