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NLQ83PFS-8NAT	21.6750	Richiesta di offerta	6524	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ83PFS-8NAT			2.000	1,2GHz	Volatile	8Gbit		DRAM	256Mx32	LVSTL	-
NDL26PFJ-9MET TR	-	Richiesta di offerta	8205	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	NDL26	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDL26PFJ-9METTR	OBSOLETO		2.000	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
NDS76PT5-16ITTR	3.3300	Richiesta di offerta	4	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDS76PT5	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	1.000	166 MHz	Volatile	128Mbit		DRAM	8Mx16	Parallelo	12ns
NDL28PFR-8KETTR	6.0638	Richiesta di offerta	8972	Insignis Technology Corporation	NDL28P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL28PFR-8KETTR			2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit		DRAM	256Mx8	Parallelo	-
NDL28PFH-8KIT TR	-	Richiesta di offerta	6120	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0036	2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDL46PFP-8KET TR	8.1000	Richiesta di offerta	8582	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-				1982-NDL46PFP-8KETTR			2.500	800 MHz	Volatile	4Gbit		DRAM	256Mx16	Parallelo	-
NLQ46PFS-6NIT	12.3750	Richiesta di offerta	9927	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ46PFS-6NIT			2.000	1,6GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx16	LVSTL	18ns
NDL88PFO-9MIT	19.7505	Richiesta di offerta	8066	Insignis Technology Corporation	NDL88P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (9x10,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL88PFO-9MIT			180	933 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	1G x 8	Parallelo	15ns
NDB26PFC-5EIT	7.5747	Richiesta di offerta	9341	Insignis Technology Corporation	NDB2	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDB26PFC-5EIT			209	533 MHz	Volatile	2Gbit	400 CV	DRAM	128Mx16	SSTL_18	15ns
NDD58PFD-2AET	3.5489	Richiesta di offerta	5014	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	60-TFBGA		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x13)	-				1982-NDD58PFD-2AET			2.500	200 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	64Mx8	SSTL_2	-
NDL86PFG-8KIT TR	19.7505	Richiesta di offerta	2747	Insignis Technology Corporation	NDL86P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL86PFG-8KITTR			2.000	800 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
NDD58PT6-2AET	2.7102	Richiesta di offerta	2079	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-NDD58PT6-2AET			1.000	200 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	64Mx8	SSTL_2	-
NDS73PBE-20ET	3.3306	Richiesta di offerta	5866	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS73PBE-20ET			190
NDS76PBA-20ET	1.9158	Richiesta di offerta	2671	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-20ET			348
NDB56PFC-4DETTR	2.3117	Richiesta di offerta	2006	Insignis Technology Corporation	NDB5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	-				1982-NDB56PFC-4DETTR			2.500	400 MHz	Volatile	512Mbit	400 CV	DRAM	32Mx16	SSTL_18	15ns
NSEC53T016-ITJ	-	Richiesta di offerta	7621	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (pSLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53T016-ITJ	OBSOLETO		1.520	200 MHz	Non volatile	128 Gbit		FLASH	16G x 8	eMMC_5.1	-
NDQ48PFQ-8NITTR	7.9800	Richiesta di offerta	8882	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ48PFQ-8NITTR			2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	512Mx8	POD	15ns
NDL48PFQ-8KITTR	9.0000	Richiesta di offerta	6147	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDL48PFQ-8KITTR			2.500	800 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
NDL86PFE-8KETTR	-	Richiesta di offerta	3860	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	-	-				1982-NDL86PFE-8KETTR	OBSOLETO		2.000	800 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
NDD36PT6-2AIT TR	3.7800	Richiesta di offerta	5244	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDD36PT6	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	200 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
NDS76PT5-20IT	2.2048	Richiesta di offerta	5692	Insignis Technology Corporation	NDS76P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PT5-20IT			108	200 MHz	Volatile	128Mbit	4,5 ns	DRAM	8Mx16	LVTTL	10ns
NDQ46PFP-8NIT	-	Richiesta di offerta	2170	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NIT	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDS36PBA-16IT	3.5489	Richiesta di offerta	3180	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TFBGA		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-FBGA (8x8)	-				1982-NDS36PBA-16IT			2.500	166 MHz	Volatile	256Mbit	5 nn	DRAM	16Mx16	LVTTL	12ns
NDS66PT5-20AT TR	1.8898	Richiesta di offerta	8842	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS66PT5-20ATTR			1.000
NDB56PFC-4DIT	2.4448	Richiesta di offerta	6083	Insignis Technology Corporation	NDB5	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	-				1982-NDB56PFC-4DIT			2.500	400 MHz	Volatile	512Mbit	400 CV	DRAM	32Mx16	SSTL_18	15ns
NSEC53T128-IT	105.0000	Richiesta di offerta	5720	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53T128-IT			1.520	200 MHz	Non volatile	1Tbit		FLASH	128G x 8	eMMC_5.1	-
NDQ86PFI-6NET	10.6400	Richiesta di offerta	4709	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ86PFI-6NET			198	1,6GHz	Volatile	8Gbit	18 ns	DRAM	512Mx16	POD	15ns
NLQ26PFS-8NIT	8.3250	Richiesta di offerta	3542	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ26PFS-8NIT			2.000	1,2GHz	Volatile	2Gbit		DRAM	128Mx16	LVSTL	-
NDL26PFG-8KETTR	-	Richiesta di offerta	3047	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	NDL26	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	-				1982-NDL26PFG-8KETTR	OBSOLETO		2.000	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
NSEC53T128-AT	139.6500	Richiesta di offerta	3425	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC53T128-AT			152	200 MHz	Non volatile	1Tbit		FLASH	128G x 8	eMMC_5.1	-