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NDQ46PFP-8XETTR	-	Richiesta di offerta	3809	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8XETTR	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDS73PBE-16ETTR	3.6017	Richiesta di offerta	5918	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS73PBE-16ETTR			2.000
NDL48PFQ-9MET TR	8.1000	Richiesta di offerta	4977	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDL48PFQ-9METTR			2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit		DRAM	512Mx8	Parallelo	-
NSEC00K008-IT	22.3000	Richiesta di offerta	1	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA	NSEC00	FLASH NAND (MLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1982-1026	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	64Gbit		FLASH	8G x 8	eMMC	-
NSEC00K032-ITJ	76.8750	Richiesta di offerta	2850	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA		FLASH-NAND (pSLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC00K032-ITJ			98	200 MHz	Non volatile	256Gbit		FLASH	32G x 8	eMMC_5	-
NSEC53T064-ITJ	89.3750	Richiesta di offerta	7423	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (pSLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC53T064-ITJ			152	200 MHz	Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	eMMC_5.1	-
NDB16PFC-4DETTR	3.7066	Richiesta di offerta	4966	Insignis Technology Corporation	NDB1L	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	NDB16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	-				1982-NDB16PFC-4DETTR			2.500	400 MHz	Volatile	1 Gbit		DRAM	64Mx16	SSTL_18	-
NDL46PFP-9MET TR	8.1000	Richiesta di offerta	7850	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-				1982-NDL46PFP-9METTR			2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit		DRAM	256Mx16	Parallelo	-
NDD56PT6-2AET TR	2.5508	Richiesta di offerta	8531	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-NDD56PT6-2AETTR			1.000	200 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	32Mx16	SSTL_2	-
NSEC53K008-IT	24.1600	Richiesta di offerta	1	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA	NSEC53	FLASH NAND (MLC)	3,3 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1982-1029	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	8Gbit		FLASH	1G x 8	eMMC	-
NDS96PT4-16ETTR	1.1709	Richiesta di offerta	3081	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS96PT4-16ETTR			1.000
NDQ46PFI-6NIT	9.0000	Richiesta di offerta	8725	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDQ46PFI-6NIT			1.500	1,6GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDQ48PFQ-7NIT	7.9800	Richiesta di offerta	3038	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ48PFQ-7NIT			242	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	512Mx8	POD	15ns
NDS36PT5-16ET	2.4786	Richiesta di offerta	8989	Insignis Technology Corporation	NDS36P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS36PT5-16ET			108	166 MHz	Volatile	256Mbit		DRAM	16Mx16	LVTTL	-
NDS66PBA-16ET	2.4303	Richiesta di offerta	2694	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS66PBA-16ET			348
NDL28PFH-8KIT TR	-	Richiesta di offerta	6120	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0036	2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDL28PFR-8KETTR	6.0638	Richiesta di offerta	8972	Insignis Technology Corporation	NDL28P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL28PFR-8KETTR			2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit		DRAM	256Mx8	Parallelo	-
NDS76PT5-16ITTR	3.3300	Richiesta di offerta	4	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDS76PT5	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	1.000	166 MHz	Volatile	128Mbit		DRAM	8Mx16	Parallelo	12ns
NSEC00K002-ITJ	16.6250	Richiesta di offerta	3004	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA		FLASH-NAND (pSLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC00K002-ITJ			98	200 MHz	Non volatile	16Gbit		FLASH	2G×8	eMMC_5	-
NLQ46PFS-8NAT	12.7287	Richiesta di offerta	4792	Insignis Technology Corporation	Automobilistico, AEC-Q100	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ46PFS-8NAT			136	1,2GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx16	LVSTL	18ns
NDB16PFC-4DITTR	5.6200	Richiesta di offerta	373	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	NDB16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	2.500	400 MHz	Volatile	1 Gbit	450 CV	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
NDQ86PFI-6NET TR	10.6400	Richiesta di offerta	3076	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ86PFI-6NETTR			1.500	1,6GHz	Volatile	8Gbit	18 ns	DRAM	512Mx16	POD	15ns
NLQ26PFS-6NET TR	10.3100	Richiesta di offerta	8205	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,6GHz	Volatile	2Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx16	LVSTL	18ns
NDS73PBE-20AT	4.4187	Richiesta di offerta	6734	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS73PBE-20AT			190
NDL28PFR-9MIT TR	6.7500	Richiesta di offerta	8225	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	-				1982-NDL28PFR-9MITTR			2.500	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDQ46PFP-8NET	-	Richiesta di offerta	7506	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NET	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDL28PFR-8KET	-	Richiesta di offerta	4372	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	-			REACH Inalterato	1982-NDL28PFR-8KET	EAR99	8542.32.0036	210	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NSEC00K064-IT	75.0000	Richiesta di offerta	4998	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA		FLASH NAND (MLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC00K064-IT			98	200 MHz	Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	eMMC_5	-
NLQ26PFS-8NITTR	10.7100	Richiesta di offerta	3426	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,2GHz	Volatile	2Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx16	LVSTL	18ns
NDQ86PFI-7NET TR	10.6400	Richiesta di offerta	5987	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ86PFI-7NETTR			1.500	1.333GHz	Volatile	8Gbit	18 ns	DRAM	512Mx16	POD	15ns