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NLQ26PFS-8NET TR	10.3100	Richiesta di offerta	2405	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,2GHz	Volatile	2Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx16	LVSTL	18ns
NDL16PFJ-9MET TR	3.7465	Richiesta di offerta	7004	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL16PFJ-9METTR			1.500	933 MHz	Volatile	1 Gbit		DRAM	64Mx16	Parallelo	-
NDL26PFG-8KIT TR	-	Richiesta di offerta	8163	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	NDL26	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0036	2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
NDS66PBA-16AT	3.0931	Richiesta di offerta	2250	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS66PBA-16AT			348
NLQ26PFS-6NET	7.1215	Richiesta di offerta	8184	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ26PFS-6NET			136	1,6GHz	Volatile	2Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx16	LVSTL	18ns
NDB26PFC-5EITTR	10.9700	Richiesta di offerta	4020	Insignis Technology Corporation	NDB2	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.500	533 MHz	Volatile	2Gbit	400 CV	DRAM	128Mx16	SSTL_18	15ns
NDQ46PFP-7XIT	-	Richiesta di offerta	9348	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-7XIT	OBSOLETO		2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDQ86PFI-7NITTR	11.9700	Richiesta di offerta	3291	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ86PFI-7NITTR			1.500	1.333GHz	Volatile	8Gbit	18 ns	DRAM	512Mx16	POD	15ns
NDS76PBA-16ATTR	2.6055	Richiesta di offerta	8897	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-16ATTR			2.500
NLQ26PFS-6NAT	8.6106	Richiesta di offerta	4435	Insignis Technology Corporation	Automobilistico, AEC-Q100	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ26PFS-6NAT			136	1,6GHz	Volatile	2Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx16	LVSTL	18ns
NLQ43PFS-8NATTR	18.3000	Richiesta di offerta	9245	Insignis Technology Corporation	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,2GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx32	LVSTL	18ns
NDS73PT9-16IT	5.1500	Richiesta di offerta	1	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDS73PT9	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	86-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1982-NDS73PT9-16IT	EAR99	8542.32.0002	108	166 MHz	Volatile	128Mbit	5,4 ns	DRAM	4Mx32	LVTTL	-
NDL86PFG-9MET	18.6200	Richiesta di offerta	1270	Insignis Technology Corporation	NDL86P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL86PFG-9MET			180	933 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	512Mx16	Parallelo	-
NDL88PFO-8KET	18.6200	Richiesta di offerta	7138	Insignis Technology Corporation	NDL88P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (9x10,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL88PFO-8KET			180	800 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	1G x 8	Parallelo	-
NDL56PFJ-8KIT TR	3.0757	Richiesta di offerta	8072	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL56PFJ-8KITTR			2.500	800 MHz	Volatile	512Mbit	20 ns	DRAM	32Mx16	Parallelo	15ns
NDQ86PFI-7NIT	11.9700	Richiesta di offerta	3366	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ86PFI-7NIT			198	1.333GHz	Volatile	8Gbit	18 ns	DRAM	512Mx16	POD	15ns
NDL28PFR-8KIT	-	Richiesta di offerta	6555	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	-			REACH Inalterato	1982-NDL28PFR-8KIT	EAR99	8542.32.0036	210	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDS66PT5-20ET	1.6354	Richiesta di offerta	4279	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-				1982-NDS66PT5-20ET			1.000	200 MHz	Volatile	64Mbit		DRAM	4Mx16	LVTTL	-
NLQ83PFS-6NET	17.8885	Richiesta di offerta	9122	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ83PFS-6NET			136	1,6GHz	Volatile	8Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx32	LVSTL	18ns
NSEC53T016-IT	18.0000	Richiesta di offerta	6510	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53T016-IT			1.520	200 MHz	Non volatile	128 Gbit		FLASH	16G x 8	eMMC_5.1	-
NLQ46PFS-8NIT TR	15.7000	Richiesta di offerta	7252	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,2GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx16	LVSTL	18ns
NDS38PT5-16ET	2.5508	Richiesta di offerta	4945	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-				1982-NDS38PT5-16ET			1.000	166 MHz	Volatile	256Mbit		DRAM	32Mx8	LVTTL	-
NSEC00K016-IT	29.2800	Richiesta di offerta	3	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA	NSEC00	FLASH NAND (MLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1982-1027	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	Non volatile	128 Gbit		FLASH	16G x 8	eMMC	-
NDB16PFC-5EIT	3.8250	Richiesta di offerta	8738	Insignis Technology Corporation	NDB1L	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	NDB16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	-				1982-NDB16PFC-5EIT			2.500	533 MHz	Volatile	1 Gbit	350 CV	DRAM	64Mx16	SSTL_18	15ns
NDL16PFJ-8KETTR	5.3800	Richiesta di offerta	5882	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	NDL16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	1.500	800 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
NDL28PFR-9MIT	6.7500	Richiesta di offerta	8385	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1982-NDL28PFR-9MIT	EAR99	8542.32.0036	210	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDL86PFE-9MIT	-	Richiesta di offerta	5306	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	-	-				1982-NDL86PFE-9MIT	OBSOLETO		2.000	933 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	512Mx16	Parallelo	-
NDQ46PFI-6NITTR	9.0000	Richiesta di offerta	4572	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDQ46PFI-6NITTR			1.500	1,6GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDQ46PFP-7NIT TR	-	Richiesta di offerta	3266	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-7NITTR	OBSOLETO		2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDL86PFG-8KET	18.6200	Richiesta di offerta	2116	Insignis Technology Corporation	NDL86P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL86PFG-8KET			180	800 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	512Mx16	Parallelo	-