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Memoria(131)

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THGBMGT0U8LBAIG	-	Richiesta di offerta	9622	Kioxia America, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto		Montaggio superficiale		THGBMG			153-TFBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	152
TC58CVG2S0HRAIJ	-	Richiesta di offerta	5871	Kioxia America, Inc.	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	TC58CVG2	FLASH NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1853-TC58CVG2S0HRAIJ	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	4Gbit	300 µs	FLASH	512Mx8	SPI	-
THGBMHG9C4LBAIR	-	Richiesta di offerta	6974	Kioxia America, Inc.	e•MMC™	Vassoio	Obsoleto	-25°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	153-WFBGA	THGBMHG	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	152	52 MHz	Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	eMMC	-
THGBMJG9C8LBAU8	-	Richiesta di offerta	5091	Kioxia America, Inc.	e•MMC™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	153-WFBGA	THGBMJG9	FLASH-NAND	-	153-WFBGA (11,5x13)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	152		Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	eMMC	-
TC58NYG2S0HBAI6	5.2300	Richiesta di offerta	175	Kioxia America, Inc.	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	67-VFBGA	TC58NYG2	FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	67-VFBGA (6,5x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	338		Non volatile	4Gbit	25 ns	FLASH	512Mx8	Parallelo	25ns
TH58NVG4S0HTA20	-	Richiesta di offerta	2465	Kioxia America, Inc.	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	TH58NVG4	FLASH NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	TH58NVG4S0HTA20YCJ	3A991B1B1	8542.32.0051	96		Non volatile	16Gbit	25 ns	FLASH	2G×8	Parallelo	25ns
THGBMHG8C4LBAU7	-	Richiesta di offerta	3566	Kioxia America, Inc.	e•MMC™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	153-WFBGA	THGBMHG	FLASH NAND (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	32Gbit		FLASH	4G×8	eMMC	-
THGAF8T0T43BAIR	-	Richiesta di offerta	7083	Kioxia America, Inc.	UFS dei consumatori	Vassoio	Attivo	-25°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	153-VFBGA	THGAF8	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	THGAF8T0T43BAIRH2L	3A991B1A	8542.32.0071	152		Non volatile	128 Gbit		FLASH	16G x 8	UFS	-
TC58NVG0S3HBAI4	-	Richiesta di offerta	8652	Kioxia America, Inc.	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	63-VFBGA	TC58NVG0	FLASH NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	63-TFBGA (9x11)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	210		Non volatile	1 Gbit	25 ns	FLASH	128Mx8	Parallelo	25ns
TH58BVG2S3HBAI4	7.2400	Richiesta di offerta	204	Kioxia America, Inc.	Benand™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	63-VFBGA	TH58BVG2	FLASH NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	63-TFBGA (9x11)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	TH58BVG2S3HBAI4JDH	3A991B1A	8542.32.0051	210		Non volatile	4Gbit		FLASH	512Mx8	-	25ns
THGBMNG5D1LBAIT	-	Richiesta di offerta	6315	Kioxia America, Inc.	e•MMC™	Vassoio	Attivo	-25°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	153-WFBGA	THGBMNG5	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11x10)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	168	52 MHz	Non volatile	32Gbit		FLASH	4G×8	eMMC	-