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Memoria(131)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TH58NVG3S0HBAI4 | - |  | 6296 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | TH58NVG3 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-TFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TH58NVG3S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Non volatile | 8Gbit | 25 ns | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | 25ns | ||
| TC58BVG2S0HBAI4 | - | | 4102 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | TC58BVG2 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-TFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 4Gbit | 25 ns | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | 25ns | |||
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| TC58NVG1S3HBAI4 | - | | 7572 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | TC58NVG1 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-TFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TC58NVG1S3HBAI4JDH | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 2Gbit | 25 ns | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | 25ns | ||
 | THGBMTG5D1LBAIL | - | | 8204 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | - | 3 (168 ore) | 1853-THGBMTG5D1LBAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||||
| TH58NYG2S3HBAI4 | 7.2400 | | 83 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-BGA | TH58NYG2 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-BGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TH58NYG2S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | 25ns | |||
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 | THGBMFG7C1LBAIL | - | | 1209 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | THGBMF | 153-FBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 152 | ||||||||||||||
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| TH58NYG2S3HBAI6 | 6.3600 | | 1403 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-BGA | TH58NYG2 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-BGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | 25ns | ||||
| THGBMHG6C1LBAW6 | - | | 4932 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | THGBMHG | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||
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| TC58NYG2S0HBAI4 | - | | 2616 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | TC58NYG2 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TC58NYG2S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | - | 25ns | |||
| TH58BVG2S3HBAI6 | 6.3600 | | 3774 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 67-VFBGA | TH58BVG2 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 67-VFBGA (6,5x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | - | - | ||||
| TH58NYG3S0HBAI4 | 9.5400 | | 76 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | TH58NYG3 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-TFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TH58NYG3S0HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | Non volatile | 8Gbit | 25 ns | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | 25ns | ||
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| TH58NYG3S0HBAI6 | - | | 4523 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 67-VFBGA | TH58NYG3 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 67-VFBGA (6,5x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TH58NYG3S0HBAI6JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 8Gbit | 25 ns | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | 25ns | ||
| THGBMHT0C8LBAIG | - | | 6825 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | THGBMHT | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC | - | |||
| THGBMUG6C1LBAIL | - | | 9597 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | - | 3 (168 ore) | 1853-THGBMUG6C1LBAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||||
| TH58NVG4S0FTA20 | - | | 8158 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | TH58NVG4 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 16Gbit | 25 ns | FLASH | 2G×8 | Parallelo | 25ns | |||
| THGBMGG9U4LBAIR | - | | 4262 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | THGBMG | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||
| THGAMRG7T13ATTENZIONE | - | | 2231 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | THGAMRG7 | FLASH-NAND | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC | - | ||||
| TC58CVG1S3HRAIG | - | | 4511 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | TC58CVG1 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | SPI | - | |||
| THGBMJG6C1LBAU7 | - | | 5176 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | THGBMJG6 | FLASH-NAND | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | eMMC | - | ||||
| TC58BVG0S3HBAI6 | - | | 4267 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 67-VFBGA | TC58BVG0 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 67-VFBGA (6,5x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | TC58BVG0S3HBAI6JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 1 Gbit | 25 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 25ns | ||
| THGAMVT0T43BAIR | - | | 1921 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | - | 3 (168 ore) | 1853-THGAMVT0T43BAIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||||
| TC58NVG0S3HTA00 | - | | 7383 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | TC58NVG0 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 1 Gbit | 25 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 25ns | |||
 | TC58CVG2S0HQAIE | - | | 3451 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TC58CVG2 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 168 | 104 MHz | Non volatile | 4Gbit | 280 µs | FLASH | 512Mx8 | SPI | - | ||
| TH58BYG2S3HBAI6 | - | | 3757 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 67-VFBGA | TH58BYG2 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 67-VFBGA (6,5x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 4Gbit | 25 ns | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | 25ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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