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Memoria(364)

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NDL48PFQ-9MIT TR	9.0000	Richiesta di offerta	2726	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDL48PFQ-9MITTR			2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
NLQ83PFS-6NITTR	26.3300	Richiesta di offerta	5885	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.000	1,6GHz	Volatile	8Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx32	LVSTL	18ns
NDS38PT5-20ET	2.4786	Richiesta di offerta	4731	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS38PT5-20ET			108
NDL86PFE-8KITTR	-	Richiesta di offerta	2377	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	-	-				1982-NDL86PFE-8KITTR	OBSOLETO		2.000	800 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	512Mx16	Parallelo	-
NDL16PFJ-8KITTR	5.8400	Richiesta di offerta	2816	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	NDL16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	1.500	800 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
NDD36PT6-2AATTR	3.7895	Richiesta di offerta	7737	Insignis Technology Corporation	NDDD	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-NDD36PT6-2AATTR			1.000	200 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	SSTL_2	15ns
NDS38PT5-20IT	2.7110	Richiesta di offerta	5066	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS38PT5-20IT			108
NDL88PFO-9MIT	19.7505	Richiesta di offerta	8066	Insignis Technology Corporation	NDL88P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (9x10,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL88PFO-9MIT			180	933 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	1G x 8	Parallelo	15ns
NDB26PFC-5EIT	7.5747	Richiesta di offerta	9341	Insignis Technology Corporation	NDB2	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDB26PFC-5EIT			209	533 MHz	Volatile	2Gbit	400 CV	DRAM	128Mx16	SSTL_18	15ns
NDD58PFD-2AET	3.5489	Richiesta di offerta	5014	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	60-TFBGA		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x13)	-				1982-NDD58PFD-2AET			2.500	200 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	64Mx8	SSTL_2	-
NLQ46PFS-6NIT	12.3750	Richiesta di offerta	9927	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ46PFS-6NIT			2.000	1,6GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx16	LVSTL	18ns
NDL46PFP-8KET TR	8.1000	Richiesta di offerta	8582	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-				1982-NDL46PFP-8KETTR			2.500	800 MHz	Volatile	4Gbit		DRAM	256Mx16	Parallelo	-
NDD58PT6-2AET	2.7102	Richiesta di offerta	2079	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-NDD58PT6-2AET			1.000	200 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	64Mx8	SSTL_2	-
NDL86PFG-8KIT TR	19.7505	Richiesta di offerta	2747	Insignis Technology Corporation	NDL86P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL86PFG-8KITTR			2.000	800 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
NSEC53T016-ITJ	-	Richiesta di offerta	7621	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (pSLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53T016-ITJ	OBSOLETO		1.520	200 MHz	Non volatile	128 Gbit		FLASH	16G x 8	eMMC_5.1	-
NDQ46PFP-8NIT	-	Richiesta di offerta	2170	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NIT	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDD36PT6-2AIT TR	3.7800	Richiesta di offerta	5244	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDD36PT6	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	200 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
NDL86PFE-8KETTR	-	Richiesta di offerta	3860	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	-	-				1982-NDL86PFE-8KETTR	OBSOLETO		2.000	800 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
NDL48PFQ-8KITTR	9.0000	Richiesta di offerta	6147	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDL48PFQ-8KITTR			2.500	800 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
NDS76PBA-16IT	2.1457	Richiesta di offerta	9487	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-16IT			348
NDS36PBA-16IT	3.5489	Richiesta di offerta	3180	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TFBGA		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-FBGA (8x8)	-				1982-NDS36PBA-16IT			2.500	166 MHz	Volatile	256Mbit	5 nn	DRAM	16Mx16	LVTTL	12ns
NSEC00K004-AT	16.9716	Richiesta di offerta	5788	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA		FLASH NAND (MLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC00K004-AT			98	200 MHz	Non volatile	32Gbit		FLASH	4G×8	eMMC_5	-
NDL16PFJ-9MIT TR	4.0169	Richiesta di offerta	4561	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL16PFJ-9MITTR			1.500	933 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
NDS73PT9-20ET	3.4276	Richiesta di offerta	7786	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	86-TSOP II	-				1982-NDS73PT9-20ET			1.000	200 MHz	Volatile	128Mbit		DRAM	4Mx32	LVTTL	-
NDS76PT5-20IT	2.2048	Richiesta di offerta	5692	Insignis Technology Corporation	NDS76P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PT5-20IT			108	200 MHz	Volatile	128Mbit	4,5 ns	DRAM	8Mx16	LVTTL	10ns
NDS76PBA-20ET	1.9158	Richiesta di offerta	2671	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-20ET			348
NDB56PFC-4DETTR	2.3117	Richiesta di offerta	2006	Insignis Technology Corporation	NDB5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	-				1982-NDB56PFC-4DETTR			2.500	400 MHz	Volatile	512Mbit	400 CV	DRAM	32Mx16	SSTL_18	15ns
NDQ46PFI-6NET TR	8.2500	Richiesta di offerta	2890	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDQ46PFI-6NETTR			1.500	1,6GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDQ46PFI-7NET TR	8.2500	Richiesta di offerta	2352	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDQ46PFI-7NETTR			1.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDS96PT4-16ITTR	1.8100	Richiesta di offerta	2567	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	NDS96PT4	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	50-TSOP II	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	1.000	166 MHz	Volatile	16Mbit		DRAM	1Mx16	Parallelo	-

2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq²
Magazzino in stock

Memoria(364)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 mq2

15.000 mq²