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Memoria(364)

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NSEC53K008-ITJ	22.0054	Richiesta di offerta	3102	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (pSLC)	3,3 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC53K008-ITJ			152	200 MHz	Non volatile	64Gbit		FLASH	8G x 8	eMMC_5	-
NSEC00K008-ITJ	23.2750	Richiesta di offerta	1015	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	100 LBGA		FLASH-NAND (pSLC)	3,3 V	100 BGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC00K008-ITJ			98	200 MHz	Non volatile	64Gbit		FLASH	8G x 8	eMMC_5	-
NLQ83PFS-6NIT	18.1702	Richiesta di offerta	7007	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NLQ83PFS-6NIT			136	1,6GHz	Volatile	8Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx32	LVSTL	18ns
NDQ86PFI-7NIT	11.9700	Richiesta di offerta	3366	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDQ86PFI-7NIT			198	1.333GHz	Volatile	8Gbit	18 ns	DRAM	512Mx16	POD	15ns
NDL28PFR-8KIT TR	6.2016	Richiesta di offerta	7407	Insignis Technology Corporation	NDL28P	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL28PFR-8KITTR			2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDL26PFI-8KIT	6.7500	Richiesta di offerta	4577	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDL26PFI-8KIT			1.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
NLQ26PFS-6NIT	8.3250	Richiesta di offerta	3042	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ26PFS-6NIT			2.000	1,6GHz	Volatile	2Gbit	3,5 ns	DRAM	128Mx16	LVSTL	18ns
NDL56PFJ-8KETTR	2.7602	Richiesta di offerta	6729	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL56PFJ-8KETTR			2.500	800 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	32Mx16	Parallelo	-
NDQ46PFP-8XIT	-	Richiesta di offerta	6354	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-				1982-NDQ46PFP-8XIT	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDL26PFI-8KIT TR	9.5500	Richiesta di offerta	4	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	NDL26	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1982-NDL26PFI-8KITTR	EAR99	8542.32.0036	1.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
NDS73PBE-20AT TR	4.2766	Richiesta di offerta	9742	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS73PBE-20ATTR			2.000
NDS36PBA-16ATTR	3.8489	Richiesta di offerta	3449	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS36PBA-16ATTR			2.500
NDL18PFH-8KET	3.7066	Richiesta di offerta	5188	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	-				1982-NDL18PFH-8KET			2.500	800 MHz	Volatile	1 Gbit		DRAM	128Mx8	Parallelo	-
NDQ48PFQ-8NET TR	8.2500	Richiesta di offerta	7318	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x10,6)	-				1982-NDQ48PFQ-8NETTR			2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit		DRAM	512Mx8	Parallelo	-
NDS76PBA-16AT	2.5039	Richiesta di offerta	5919	Insignis Technology Corporation	*	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-16AT			348
NDB16PFC-5EIT	3.8250	Richiesta di offerta	8738	Insignis Technology Corporation	NDB1L	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	NDB16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	-				1982-NDB16PFC-5EIT			2.500	533 MHz	Volatile	1 Gbit	350 CV	DRAM	64Mx16	SSTL_18	15ns
NDL86PFG-9MET	18.6200	Richiesta di offerta	1270	Insignis Technology Corporation	NDL86P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL86PFG-9MET			180	933 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	512Mx16	Parallelo	-
NDD36PT6-2AIT	2.5561	Richiesta di offerta	2497	Insignis Technology Corporation	NDD36P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDD36PT6-2AIT			108	200 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	SSTL_2	15ns
NDL56PFJ-8KIT TR	3.0757	Richiesta di offerta	8072	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL56PFJ-8KITTR			2.500	800 MHz	Volatile	512Mbit	20 ns	DRAM	32Mx16	Parallelo	15ns
NDL16PFJ-8KET	3.6017	Richiesta di offerta	9268	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL16PFJ-8KET			209	800 MHz	Volatile	1 Gbit		DRAM	64Mx16	Parallelo	-
NDS76PBA-16IT TR	2.1688	Richiesta di offerta	4532	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS76PBA-16ITTR			2.500
NDD56PT6-2AET	2.5508	Richiesta di offerta	1576	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-NDD56PT6-2AET			1.000	200 MHz	Volatile	512Mbit		DRAM	32Mx16	SSTL_2	-
NDQ46PFP-7XIT	-	Richiesta di offerta	9348	Insignis Technology Corporation	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-7XIT	OBSOLETO		2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDQ46PFP-8NIT TR	-	Richiesta di offerta	3459	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-		SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NITTR	OBSOLETO		2.500	1,2GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
NDL28PFH-9MET TR	-	Richiesta di offerta	8460	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	NDL28	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
NDS38PT5-20ET TR	2.4786	Richiesta di offerta	9428	Insignis Technology Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDS38PT5-20ETTR			1.000
NSEC53T016-IT	18.0000	Richiesta di offerta	6510	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-FBGA (11,5x13)	-				1982-NSEC53T016-IT			1.520	200 MHz	Non volatile	128 Gbit		FLASH	16G x 8	eMMC_5.1	-
NSEC53K004-ITJ	17.3574	Richiesta di offerta	8203	Insignis Technology Corporation	NSEC	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	153-VFBGA		FLASH-NAND (pSLC)	3,3 V	153-FBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NSEC53K004-ITJ			152	200 MHz	Non volatile	32Gbit		FLASH	4G×8	eMMC_5	-
NDL88PFO-8KET	18.6200	Richiesta di offerta	7138	Insignis Technology Corporation	NDL88P	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (9x10,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1982-NDL88PFO-8KET			180	800 MHz	Volatile	8Gbit		DRAM	1G x 8	Parallelo	-
NLQ46PFS-6NIT TR	15.2500	Richiesta di offerta	2	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0036	2.000	1,6GHz	Volatile	4Gbit	3,5 ns	DRAM	256Mx16	LVSTL	18ns

2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq²
Magazzino in stock

Memoria(364)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 mq2

15.000 mq²