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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDL86PFE-8KITTR | - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | - | - | 1982-NDL86PFE-8KITTR | OBSOLETO | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | |||||||
![]() | NDL18PFH-8KIT | 3.9750 | ![]() | 7320 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | - | 1982-NDL18PFH-8KIT | 2.500 | 800 MHz | Volatile | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | |||||||
![]() | NDL26PFI-9MIT | 6.6000 | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | 1982-NDL26PFI-9MIT | 1.500 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||||
![]() | NDB26PFC-5EETTR | 10.1300 | ![]() | 6289 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB2 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 2.500 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | SSTL_18 | - | |||||||
![]() | NDL86PFE-9MITTR | - | ![]() | 3179 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | - | - | 1982-NDL86PFE-9MITTR | OBSOLETO | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | |||||||
![]() | NDS73PBE-20ITTR | 3.7064 | ![]() | 8094 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS73PBE-20ITTR | 2.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NDS96PT4-16ET | 1.1709 | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS96PT4-16ET | 117 | |||||||||||||||||||
![]() | NDQ48PFQ-7NET | 8.2500 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x10,6) | - | 1982-NDQ48PFQ-7NET | 2.500 | 1.333GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 512Mx8 | POD | 15ns | |||||||
![]() | NDB18PFB-4DET | 3.7066 | ![]() | 4234 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB1L | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | - | 1982-NDB18PFB-4DET | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 1 Gbit | DRAM | 128Mx8 | SSTL_18 | - | ||||||||
![]() | NDL26PFJ-8KITTR | - | ![]() | 8050 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | 1982-NDL26PFJ-8KITTR | OBSOLETO | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
![]() | NLQ26PFS-8NET | 7.1215 | ![]() | 9135 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NLQ26PFS-8NET | 136 | 1,2GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | NDS73PT9-20IT TR | 3.5870 | ![]() | 4867 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | - | 1982-NDS73PT9-20ITTR | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 128Mbit | 5 nn | DRAM | 4Mx32 | LVTTL | - | |||||||
![]() | NDS38PT5-16ET TR | 2.4786 | ![]() | 9748 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS38PT5-16ETTR | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NSEC53T032-ITJ | - | ![]() | 1330 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (pSLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-FBGA (11,5x13) | - | 1982-NSEC53T032-ITJ | OBSOLETO | 1.520 | 200 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | NDL46PFP-8KIT TR | 9.0000 | ![]() | 7259 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 1982-NDL46PFP-8KITTR | 2.500 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||||
![]() | NDS76PT5-20ET | 2.0259 | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS76PT5-20ET | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 128Mbit | DRAM | 8Mx16 | LVTTL | - | ||||||||
![]() | NLQ43PFS-6NET TR | 14.7500 | ![]() | 4564 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx32 | LVSTL | 18ns | ||||||
![]() | NDS73PBE-16ITTR | 3.7500 | ![]() | 7837 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-FBGA (8x13) | - | 1982-NDS73PBE-16ITTR | 2.000 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | LVTTL | - | |||||||
![]() | NSEC00K002-ITJ | 16.6250 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 100 LBGA | FLASH-NAND (pSLC) | 3,3 V | 100 BGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NSEC00K002-ITJ | 98 | 200 MHz | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | eMMC_5 | - | ||||||
![]() | NDS73PBE-20AT | 4.4187 | ![]() | 6734 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS73PBE-20AT | 190 | |||||||||||||||||||
![]() | NDL28PFR-9MIT TR | 6.7500 | ![]() | 8225 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,5) | - | 1982-NDL28PFR-9MITTR | 2.500 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |||||||
![]() | NDL48PFQ-8KET | 8.1000 | ![]() | 4912 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,6) | - | 1982-NDL48PFQ-8KET | 2.500 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||||||
![]() | NDQ46PFP-8NET | - | ![]() | 7506 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | - | 1982-NDQ46PFP-8NET | OBSOLETO | 2.500 | 1,2GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | ||||||
![]() | NSEC00K064-IT | 75.0000 | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 100 LBGA | FLASH NAND (MLC) | 3,3 V | 100 BGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NSEC00K064-IT | 98 | 200 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | eMMC_5 | - | ||||||
![]() | NDL28PFR-8KET | - | ![]() | 4372 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | NDL28 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,5) | - | REACH Inalterato | 1982-NDL28PFR-8KET | EAR99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
![]() | NDS36PT5-16ET | 2.4786 | ![]() | 8989 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS36P | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS36PT5-16ET | 108 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | DRAM | 16Mx16 | LVTTL | - | ||||||
![]() | NSEC53T064-ITJ | 89.3750 | ![]() | 7423 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (pSLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-FBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NSEC53T064-ITJ | 152 | 200 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | NDL48PFQ-9MET TR | 8.1000 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (7,5x10,6) | - | 1982-NDL48PFQ-9METTR | 2.500 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||||||
![]() | NDQ46PFP-8XET | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 1982-NDQ46PFP-8XET | OBSOLETO | 2.500 | 1,2GHz | Volatile | 4Gbit | 18 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | ||||||
![]() | NDD36PT6-2AATTR | 3.7895 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDDD | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD36PT6-2AATTR | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | SSTL_2 | 15ns |

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