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Memoria(2872)

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W632GU6MB-11	-	Richiesta di offerta	2530	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	W632GU6	SDRAM-DDR3	1,283 V ~ 1,45 V	96-VFBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	198	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	-
W25M512JVCIQTR	-	Richiesta di offerta	1768	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA	W25M512	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	512Mbit		FLASH	64Mx8	SPI	-
W71NW11GF1EW	-	Richiesta di offerta	8689	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	121-WFBGA	W71NW11	FLASH-NAND, DRAM-LPDDR2	1,7 V ~ 1,95 V	121-WFBGA (8x8)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W71NW11GF1EW			348	267 MHz	Non volatile, volatile	1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)	25 ns	FLASH, RAM	-	-	-
W9864G6JH-6I	-	Richiesta di offerta	1198	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	W9864G6	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	W9864G6JH6I	EAR99	8542.32.0002	108	166 MHz	Volatile	64Mbit	5 ns	DRAM	4Mx16	Parallelo	-
W632GG8MB-12TR	-	Richiesta di offerta	6514	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	W632GG8	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-VFBGA (10,5x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.000	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	-
W25X16VSFIG T&R	-	Richiesta di offerta	9307	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	W25X16	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	1.000	75 MHz	Non volatile	16Mbit		FLASH	2Mx8	SPI	3ms
W25Q128FVTIGTR	-	Richiesta di offerta	4806	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	W25Q128	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	128Mbit		FLASH	16Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	50 µs, 3 ms
W25X16AVDAIZ	-	Richiesta di offerta	1218	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	W25X16	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	8-PDIP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	50	75 MHz	Non volatile	16Mbit		FLASH	2Mx8	SPI	3ms
W25X64VSFIG	-	Richiesta di offerta	4967	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	W25X64	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	44	75 MHz	Non volatile	64Mbit		FLASH	8Mx8	SPI	3ms
W989D2DBJX6I TR	3.0608	Richiesta di offerta	9390	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	90-TFBGA	W989D2	SDRAM: LPSDR mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0028	2.500	166 MHz	Volatile	512Mbit	5 ns	DRAM	16Mx32	Parallelo	15ns
W25X20CLUXIG TR	0,4800	Richiesta di offerta	344	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 8-UFDFN	L25X20	FLASH	2,3 V ~ 3,6 V	8-USO (2x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	4.000	104 MHz	Non volatile	2Mbit		FLASH	256K×8	SPI	800 µs
W25Q80EWSVIG	-	Richiesta di offerta	7947	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25Q80	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	8-VSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	SPI - Quad I/O, QPI	800 µs
W25Q512NWBIM	-	Richiesta di offerta	7026	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA	W25Q512	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q512NWBIM	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	512Mbit	6 ns	FLASH	64Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	3ms
W949D6DBHX5E	2.9441	Richiesta di offerta	6169	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-25°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	W949D6	SDRAM: LPDDR mobile	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	312	200 MHz	Volatile	512Mbit	5 ns	DRAM	32Mx16	Parallelo	15ns
W25Q16JVSNSQ	-	Richiesta di offerta	1070	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25Q16	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q16JVSNSQ			1	133 MHz	Non volatile	16Mbit	6 ns	FLASH	2Mx8	SPI - I/O quadruplo	3ms
W631GG6NB-11 TR	2.9730	Richiesta di offerta	7385	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	96-VFBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W631GG6NB-11TR	EAR99	8542.32.0032	3.000	933 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	SSTL_15	15ns
W25Q128FVSJQ TR	-	Richiesta di offerta	8530	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	W25Q128	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	W25Q128FVSJQTR	3A991B1A	8542.32.0071	1.000	104 MHz	Non volatile	128Mbit		FLASH	16Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	50 µs, 3 ms
W9751G6KB-18	-	Richiesta di offerta	8032	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	W9751G6	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-WBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	209	533 MHz	Volatile	512Mbit	350 CV	DRAM	32Mx16	Parallelo	15ns
W25X10CLUXIG TR	-	Richiesta di offerta	8725	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 8-UFDFN	W25X10	FLASH	2,3 V ~ 3,6 V	8-USO (2x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	4.000	104 MHz	Non volatile	1Mbit		FLASH	128K×8	SPI	800 µs
W25Q64FWSSSQ	-	Richiesta di offerta	8759	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	W25Q64	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q64FWSSSQ	OBSOLETO		1	104 MHz	Non volatile	64Mbit	6 ns	FLASH	8Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	60μs, 5ms
W25X16VSSIG	-	Richiesta di offerta	3638	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	W25X16	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	90	75 MHz	Non volatile	16Mbit		FLASH	2Mx8	SPI	3ms
W25Q256JWEIM	-	Richiesta di offerta	3676	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25Q256	FLASH-NOR	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q256JWEIM	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	256Mbit	6 ns	FLASH	32Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	5 ms
W25Q32JVTCIQ TR	0,9450	Richiesta di offerta	8064	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA	W25Q32	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	2.000	133 MHz	Non volatile	32Mbit		FLASH	4M x 8	SPI - I/O quadruplo	3ms
W632GU6AB-12	-	Richiesta di offerta	9465	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Interrotto alla SIC	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	W632GU6	SDRAM-DDR3	1,283 V ~ 1,45 V	-	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	-
W29N01HVSINA	3.0702	Richiesta di offerta	5720	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	W29N01	FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	1 Gbit	25 ns	FLASH	128Mx8	Parallelo	25ns
W25Q64JVSFIM TR	0,9468	Richiesta di offerta	4046	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	W25Q64	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.000	133 MHz	Non volatile	64Mbit		FLASH	8Mx8	SPI - I/O quadruplo	3ms
W25Q80BVSSIG TR	-	Richiesta di offerta	8363	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	W25Q80	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	SPI - I/O quadruplo	3ms
W29GL032CT7A	-	Richiesta di offerta	3507	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFBGA	W29GL032	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	480		Non volatile	32Mbit	70 ns	FLASH	4Mx8, 2Mx16	Parallelo	70ns
W29N02KVBIAE	4.7810	Richiesta di offerta	9417	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	63-VFBGA	W29N02	FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W29N02KVBIAE	3A991B1A	8542.32.0071	210		Non volatile	2Gbit	20 ns	FLASH	256Mx8	ONFI	25ns
W632GG6MB-12	-	Richiesta di offerta	1722	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	W632GG6	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	96-VFBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	198	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	128Mx16	Parallelo	-